[发明专利]一种采用刻蚀工艺在基材表面加工CD纹的方法在审

专利信息
申请号: 201610178182.0 申请日: 2016-03-25
公开(公告)号: CN105676589A 公开(公告)日: 2016-06-15
发明(设计)人: 沈厚军;赵博;李建勳;郑松森 申请(专利权)人: 南京京晶光电科技有限公司
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00;H01L21/02
代理公司: 苏州市方略专利代理事务所(普通合伙) 32267 代理人: 马广旭
地址: 210038 江苏省南京市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种采用刻蚀工艺在基材表面加工CD纹的方法,包括如下步骤:1)制作掩膜版;2)涂布光阻薄膜、烘烤;3)曝光、烘烤;4)显影、烘烤;5)刻蚀。所述方法提供一种效率高、精度高且适用范围广的采用干法或湿法刻蚀在基材表面加工出CD纹的方法。
搜索关键词: 一种 采用 刻蚀 工艺 基材 表面 加工 cd 方法
【主权项】:
一种采用刻蚀工艺在基材表面加工CD纹的方法,其特征在于,包括如下步骤:制作掩膜版根据所加工CD纹规格不同,按照CD纹面积:掩膜版面积=1:1或4:1或5:1的比例设计、制作掩膜版,在掩膜版表面中部形成与所述CD纹相对应的CD纹图形区域,该CD纹图形区域包括透光区域和不透光区域;涂布光阻薄膜、烘烤取基材,在基材一表面均匀涂布一层光阻薄膜,该光阻薄膜厚度为10nm~50um;涂布完成后的基材在70~130℃温度下进行烘烤;曝光、烘烤取光刻机,将步骤1)所得掩膜版的图形区域放置于光刻机光源与步骤2)处理后所得基材光阻薄膜之间,光刻机打开遮光板对基材进行光照处理,光照时长100ms~60s,光刻机光源发射的光线通过所述掩膜版图形区域中的透光区域照射在基材的光阻薄膜上,接受光线照射的光阻薄膜发生反应,进行曝光,曝光后的基材在70~130℃温度下进行烘烤;显影、烘烤将步骤3)处理后的基材通过显影液进行显影处理,显影处理时长为30S~24h,使步骤3)中发生反应的光阻薄膜溶解于显影液中,未反应的光阻薄膜保留在基材表面,在光阻薄膜表面形成CD纹图形,去除显影液及溶解于其内的光阻薄膜,完成显影处理,将处理完成后的基材在70~130℃温度下进行烘烤;刻蚀在基材表面进行刻蚀处理,对未保留光阻薄膜的基材表面进行刻蚀,保留光阻薄膜的基材表面不被刻蚀,将步骤4)中在光阻薄膜表面形成的CD纹图形转移至基材表面,在基材表面形成所述CD纹,去除保留的光阻薄膜,完成所述采用刻蚀工艺在基材表面加工CD纹。
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