[发明专利]一种指纹传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 201610178079.6 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN105809145A | 公开（公告）日： | 2016-07-27 |
| 发明（设计）人： | 陈信学;陈亦伟;陈瑞沛 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G06K9/00 | 分类号： | G06K9/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种指纹传感器及其制造方法。该指纹传感器包括：一金属导电层；一界面介电层，形成于金属导电层的上方；一金属氧化物层，形成于金属导电层的上方；一富硅介电层，形成于金属氧化物层的上方，富硅介电层用以感测光线而产生光电流；以及一透明导电层，形成于富硅介电层的上方。相比于现有技术，本发明在富硅介电层的下方增设一金属氧化物层，利用该金属氧化物层作为缓冲来降低暗电流，进而增加指纹传感器的灵敏度。此外，本发明采用化学气相沉积工艺形成富硅介电层时可同步对金属导电层进行等离子体表面处理从而形成金属氧化物层，因此并不会增加原有的PEP数目。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 指纹 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种指纹传感器，适于降低光感测元件的暗电流，其特征在于，所述指纹传感器包括：一金属导电层；一界面介电层，形成于所述金属导电层的上方；一金属氧化物层，形成于所述金属导电层的上方；一富硅介电层，形成于所述金属氧化物层的上方，所述富硅介电层用以感测光线而产生光电流；以及一透明导电层，形成于所述富硅介电层的上方。
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