[发明专利]控制多晶硅栅极关键尺寸均匀性的方法有效
| 申请号： | 201610173911.3 | 申请日： | 2016-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN105702571B | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 许进;唐在峰;陈敏杰;任昱;吕煜坤 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种控制多晶硅栅极关键尺寸均匀性的方法，包括：第一步骤：建立密封的反应腔体内的托盘的表面的各个距离处，反应腔侧壁上生成的SiO2Cl4析出的氧离子浓度与反应腔侧壁使用时数之间的第一关系；第二步骤：建立氧离子浓度和关键尺寸的第二关系；第三步骤：利用化学气相沉积在反应腔侧壁上生成预定厚度的SiO2Cl4；第四步骤：将晶圆置于托盘之上；第五步骤：根据建立的所述第一关系和所述第二关系，基于期望得到的多晶硅栅极尺寸以及使用的反应腔的反应腔侧壁使用时数，设置反应腔体内的托盘的不同区域的温度；第六步骤：在设置的温度下，对晶圆进行多晶硅刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 多晶 栅极 关键 尺寸 均匀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种控制多晶硅栅极关键尺寸均匀性的方法，其特征在于包括：第一步骤：建立密封的反应腔体内的托盘的表面的各个距离处，反应腔侧壁上生成的SiO2Cl4析出的氧离子浓度与反应腔侧壁使用时数之间的第一关系；第二步骤：建立氧离子浓度和关键尺寸的第二关系；第三步骤：利用化学气相沉积在反应腔侧壁上生成预定厚度的SiO2Cl4；第四步骤：将晶圆置于托盘之上；第五步骤：根据建立的所述第一关系和所述第二关系，基于期望得到的多晶硅栅极尺寸以及使用的反应腔的反应腔侧壁使用时数，设置反应腔体内的托盘的不同区域的温度；第六步骤：在设置的温度下，对晶圆进行多晶硅刻蚀。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610173911.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：平坦化半导体装置的方法
- 下一篇：使用化学剥离方法的Ⅲ族氮化物基板的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
