[发明专利]一种基于FPGA的NAND Flash容错方法有效
| 申请号： | 201610173425.1 | 申请日： | 2016-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN105843749B | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 张晓峰;史治国;陈积明 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02;G06F12/06 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 邱启旺 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于FPGA的NAND Flash容错方法，包括Flash坏块检测、坏块管理和动态查表。通过Flash写标志位的状态和读写内容是否相同来检测坏块。利用坏块管理算法对检测到的好、坏块地址进行管理，并建立地址映射表。FPGA通过动态查表的方式对Flash进行写入、读取和擦除操作，大大提高了数据存取的准确性和高效性。本方法能直接提高Flash空间利用率，使其整体性能和处理速度得到重要的保障，对新一代大容量NAND Flash的应用发展具有参考意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 fpga nand flash 容错 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于FPGA的NAND Flash容错方法，其特征在于，包括Flash坏块检测、坏块管理和动态查表；通过Flash写标志位的状态和读写内容是否相同来检测坏块；利用坏块管理算法对检测到的好、坏块地址进行管理，并建立地址映射表；FPGA通过动态查表的方式对Flash进行写入、读取和擦除操作；所述Flash坏块检测过程如下：(1) 通过FPGA对Flash芯片所有块按页地址进行写操作，一次写一页；一个写周期结束后，通过检查Flash写标志位的状态来判断是否写成功，若连续3次未写成功，则判断当前块为坏块；(2) 若写入成功，则将写数据存储至RAM；读取当前块内容，和RAM中的写数据进行对比，连续2次读取和写入内容不相同，则判断当前块为坏块。
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