[发明专利]具有双轴向气体注入和排放的等离子体处理室

摘要

一种电极被暴露于等离子体产生容积，并被限定为将射频功率传输到该等离子体产生容积，且包括用于保持暴露于该等离子体产生容积的衬底的上表面。气体分配单元被布置在该等离子体产生容积的上方，且在与该电极基本平行的方向上。该气体分配单元包括用于将等离子体处理气体的输入流沿基本垂直于该电极的上表面的方向上引导到该等离子体产生容积的气体供给端口的布置。该气体分配单元还包括每个延伸通过该气体分配单元以将该等离子体产生容积与排放区域流体连接的通孔的布置。该通孔中的每一个将来自等离子体产生容积的等离子体处理气体的排放流沿着基本上垂直于该电极的上表面的方向引导。

主权项

一种半导体晶片处理装置，其包括：包括电极的卡盘，所述卡盘暴露于等离子体产生容积，所述电极被限定为将射频功率供给到所述等离子体产生容积，所述卡盘具有被限定为保持暴露于等离子体产生容积的衬底的上表面，所述卡盘具有顶表面，其围绕所述电极的顶表面；气体分配单元，其设置在所述等离子体产生容积上方且在与所述卡盘基本平行的方向上，所述气体分配单元被限定为包括被限定为沿着基本垂直于所述卡盘的所述上表面的方向将等离子体处理气体的输入流引导到所述等离子体产生容积的气体供给端口布置，所述气体分配单元被进一步限定为包括每个都延伸通过所述气体分配单元以将所述等离子体产生容积与排放区域流体连接的通孔布置，其中，所述通孔中的每个被限定为将来自所述等离子体产生容积的所述等离子体处理气体的排放流沿着基本垂直于所述卡盘的所述上表面的方向引导，其中所述气体分配单元被限定为板，所述板被形成为将所述等离子体产生容积与所述排放区域分离，以及其中所述气体供给端口布置中的每一个气体供给端口限定在所述板的下表面以将等离子处理气体分配到所述等离子体产生容积；布置在所述气体分配单元上表面上的流控制板，所述流控制板被限定为控制在给定的时间哪些通孔被暴露以引导来自所述等离子体产生容积的等离子处理气体的排放流以及哪些通孔被关闭；以及外周结构，其具有顶表面和底表面并以固体形式在所述顶表面和底表面之间延伸，所述外周结构的所述底表面位于所述卡盘的顶表面上，所述气体分配单元位于所述外周结构的所述顶表面上，其中，所述外周结构被限定为围绕和包绕所述等离子体产生容积的周边，使得环绕所述等离子体产生容积的所述周边的所述外周结构的所述底表面与所述卡盘的所述顶表面之间存在不间断的流体密封，并使得环绕所述等离子体产生容积的所述周边的所述外周结构的所述顶表面与所述气体分配单元之间存在不间断的流体密封。