[发明专利]一种利用磁控溅射方法制备导电玻璃用陶瓷靶材在审
申请号: | 201610158348.2 | 申请日: | 2016-03-17 |
公开(公告)号: | CN105777107A | 公开(公告)日: | 2016-07-20 |
发明(设计)人: | 谢逊;孙景峰 | 申请(专利权)人: | 江苏新浦电子科技有限公司 |
主分类号: | C04B35/457 | 分类号: | C04B35/457;C04B35/622 |
代理公司: | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人: | 王美华 |
地址: | 213300 江苏省常州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种利用磁控溅射方法制备导电玻璃用陶瓷靶材,本发明属于电容式触摸屏用导电玻璃领域,尤其涉及一种利用磁控溅射方法制备导电玻璃用SnO2陶瓷靶材的配方组成,所述陶瓷靶材的配方组成为:SnO291~98wt.%,Sb2O30.1~6.0wt.%,Bi2WO30.01~2wt.%,LaMnO30.1~4wt.%,ZnO 0.01~1.8wt.%;其中:Bi2WO3、LaMnO3分别是采用常规的化学原料以固相法合成。所制备的陶瓷靶材导电性能好,电阻率小于等于20mΩ·cm;体积密度较高,为5.858g/cm3以上;烧结温度较低,烧结温度低于1380℃;可以降低陶瓷靶材的成本,具有价格低廉、性能稳定、无毒等特点,该陶瓷靶材适合于利用磁控溅射方法制备高性能导电玻璃用靶材。 | ||
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【主权项】:
一种利用磁控溅射方法制备导电玻璃用陶瓷靶材,其特征在于:所述靶材配方包括:SnO2 91~98wt.%,Sb2O3 0.1~6.0wt.%,Bi2WO3 0.01~2wt.%,LaMnO3 0.1~4wt.%,ZnO 0.01~1.8wt.%,其中:Bi2WO3、LaMnO3分别是采用常规的化学原料以固相法合成。
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