[发明专利]一种卤素掺杂的铅氧族化合物纳米晶及其制备方法和用途

摘要

本发明公开了一种卤素掺杂的铅氧族化合物纳米晶及其制备方法和用途。具体而言，本发明的方法包括以下步骤1）利用铅试剂、油酸和1‑十八烯制备铅前驱体；2）利用三甲基硅烷基卤族化合物、二(三甲基硅烷基)氧族化合物、1‑十八烯和步骤1）中得到的铅前驱体进行反应；3）通过后处理得到卤素掺杂的铅氧族化合物纳米晶。本发明使用了含卤族元素的前驱体，与含氧族元素的前驱体具有良好的相容性，几乎可以任意互溶，制备方法简单、易行。与传统的肖特基结构相比，大幅提高器件的开路电压和短路电流，同时保证填充因子只有极小的衰减，转换效率提高了将近75%。

主权项

一种卤素掺杂的铅氧族化合物纳米晶的制备方法，其包括以下步骤：1）将铅试剂、油酸和作为溶剂的1‑十八烯加入到反应容器中，在100~110℃下搅拌并抽真空1~2小时，直至铅试剂完全溶解，反应液无气泡且为澄清透明状，得到铅前驱体，其中所述铅试剂和油酸的摩尔比为1:2.5~5；2）向反应容器中通入惰性气体或氮气，并调节至60~180℃的设定温度，将三甲基硅烷基卤族化合物、二(三甲基硅烷基)氧族化合物和作为溶剂的1‑十八烯混合均匀后，快速转移至步骤1）中得到的铅前驱体中，并继续反应0.5~30分钟，其中所述三甲基硅烷基卤族化合物、二(三甲基硅烷基)氧族化合物和铅试剂的摩尔比为0.05~1.6:1:2~3；3）反应完毕后，将反应液降至室温并加入正己烷，分别通过异丙醇和丙酮沉淀、离心弃去上层液及真空抽干的后处理，得到卤素掺杂的铅氧族化合物纳米晶。