[发明专利]基板处理方法和基板处理装置有效
| 申请号： | 201610153582.6 | 申请日： | 2016-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN105990194B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 东条利洋;山口克昌;宇津木康史 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 11322 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳;邸万杰<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够正确地检测到基板从载置台剥离的基板处理方法。基板处理装置(11)包括：收容基板(G)利用等离子体对该基板(G)实施等离子体蚀刻的腔室(20)；设置于该腔室(20)的内部的、用于载置基板(G)的载置台(21)；内置于该载置台(21)的、将基板(G)静电吸附于载置台(21)的静电吸附电极(27)；向该静电吸附电极(27)施加直流电压的直流电源(28)；供给用于生成等离子体的高频电力的等离子体生成用高频电源(41)；和用于监视被施加于静电吸附电极(27)的直流电压的直流电压监视器(46)，当由直流电压监视器监视的直流电压超过规定阈值时，等离子体生成用高频电源停止供给高频电力。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置的基板处理方法，所述基板处理装置包括：收容基板利用等离子体对该基板实施处理的处理室；设置于该处理室的内部的、用于载置所述基板的载置台；内置于该载置台的、将所述基板静电吸附于所述载置台的静电吸附电极；向该静电吸附电极施加直流电压的直流电源；和供给用于生成所述等离子体的高频电力的高频电源，所述基板处理方法的特征在于：/n所述基板处理装置还包括：/n用于监视从所述直流电源被施加于所述静电吸附电极的直流电压的电压监视装置；/n控制所述基板处理装置的动作的控制装置；和/n不经由该控制装置地连接所述电压监视装置和所述高频电源的信号线，/n当所述被监视的直流电压超过规定阈值时，判断所述基板从所述载置台剥离，所述电压监视装置经由所述信号线向所述高频电源发送用于使所述高频电力的供给停止的停止信号，接收到所述停止信号的所述高频电源停止所述高频电力的供给。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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