[发明专利]一种硅基混合集成雪崩光电探测器

摘要

本发明公开了一种硅基混合集成雪崩光电探测器(APD)，包括自下而上叠置的SOI(silicon‑on‑insulator)倒锥耦合结构、键合层、波导和光学匹配层，以及雪崩光电探测结构。波导和光学匹配层包括波导区和光学匹配区。本发明通过键合工艺构建。本发明采用倒锥模斑转换耦合结构和倏逝波光耦合方式来达到高效率耦合的目的；窄倍增层与窄吸收层使得该分离吸收电荷倍增区(SACM)APD可达到高速、低噪声光探测的目的；SOI倒锥耦合结构与雪崩光电探测结构键合的方式使得器件同时集中了二者的优点。

主权项

一种硅基混合集成雪崩光电探测器，其特征在于，包括自下而上叠置的SOI倒锥耦合结构、BCB键合层、波导和光学匹配层，以及雪崩光电探测结构，波导和光学匹配层包括波导区和光学匹配区，所述SOI倒锥耦合结构包括硅衬底、二氧化硅埋氧层和顶层硅，二氧化硅埋氧层制作在硅衬底上，顶层硅制作在二氧化硅埋氧层上，所述雪崩光电探测结构位于光学匹配区上。