[发明专利]一种ZnO/Mo/ZnO透明导电薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201610148702.3 | 申请日： | 2016-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN105734512A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 廉吉庆;张大伟;王小平;王丽军;王兆芳;宁仁敏;宋明丽;柯小龙;陈海将;苏德龙;管璐璐;林承军 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/18 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 吴宝根 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种ZnO/Mo/ZnO透明导电薄膜的制备方法，室温下先将基片清洗，用氮气枪吹干；然后将ZnO靶材、Mo靶材和基片放入磁控溅射反应室，将反应室抽真空，打开温控电源，将基片加热，向反应室通入氩气和氧气的混合气，开启ZnO靶材一侧的射频电源，溅射ZnO靶材；将反应室重新抽真空，开启Mo靶材一侧的射频电源，溅射Mo靶材；将反应室重新抽真空，再开启ZnO靶材一侧的射频电源，溅射ZnO靶材；然后将样品取出，放到马弗炉中退火，冷却后得到ZnO/Mo/ZnO叠层结构透明导电薄膜。本发明利用ZnO的良好光电性能和Mo的低电阻率，制备成叠层ZnO/Mo/ZnO透明导电薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zno mo 透明 导电 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种ZnO/Mo/ZnO透明导电薄膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤：1）室温下将基片清洗，然后用氮气枪将其吹干；2）打开磁控溅射反应室，把纯度为99.999%的ZnO靶材和Mo靶材固定在反应室中，将基片放入磁控溅射反应室，将反应室抽真空到9.9×10‑4Pa，打开温控电源，将基片加热到300~400℃，待基片温度均匀后，向反应室通入氩气和氧气的混合气，所述的氩气和氧气的体积比为（3~8）:1，开启ZnO靶材一侧的射频电源，将溅射功率调至40~100W，调节压强至2~5Pa，打开挡板，溅射8~16min40s，ZnO厚度为45~65nm；3）将反应室重新抽真空至9.9×10‑4Pa，开启Mo靶材一侧的射频电源，将溅射功率调至75~100W，向反应室通入氩气，调节压强至0.4~0.6Pa，打开挡板，溅射10~40s，Mo层厚度在5~15nm；4）将反应室重新抽真空至9.9×10‑4Pa，再开启ZnO靶材一侧的射频电源，将溅射功率调至40~100W，向反应室通入氩气和氧气的混合气，所述的氩气和氧气的体积比为(3~8):1，调节压强至2~5Pa，打开挡板，溅射8~16min40s，ZnO厚度为45~65nm；5）待反应室温度降至常温，将样品取出，放到马弗炉中在150~400℃退火1h，冷却至常温，得到ZnO/Mo/ZnO叠层结构透明导电薄膜。
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