[发明专利]一种二硫化钼纳米墙的合成方法

摘要

一种二硫化钼纳米墙的合成方法，涉及一种二硫化钼纳米材料的合成方法。本发明是要解决现有二硫化钼纳米材料的制备方法存在固态硫源不能控制硫源的通入量及截止时间点，气态硫源会带来杂质、降低纯度，易造成安全隐患的问题。方法：一、清洗硅片；二、将硅片及分别装有三氧化钼粉末和硫粉的石英舟放入化学气相沉积装置的石英管中，启动真空泵，通入氩气或氮气，升温，维持，停止加热，提高气体流速，冷却，关闭真空泵，恢复常压，取出硅片，即完成二硫化钼纳米墙的生长。该方法不向体系内引入杂质元素，保证样品纯净度。可以很好的控制硫源的通入量及截止时间点，方法简单，易操作。本发明用于二硫化钼纳米墙的生长。

主权项

1.一种二硫化钼纳米墙的合成方法，其特征在于该方法按以下步骤进行：一、准备：依次利用丙酮、无水乙醇和去离子水对硅片进行超声清洗，得到清洗后硅片；称取4mg～8mg的三氧化钼粉末和0.12g～0.18g的硫粉，分别放入各自石英舟中；二、生长二硫化钼纳米墙：将硅片及分别装有三氧化钼粉末和硫粉的石英舟放入化学气相沉积装置的石英管中，具体放置方法为：将装有三氧化钼的石英舟放在炉子中间，将装有硫粉的石英舟放在炉子外的石英管中靠近Ar/N2进气口一侧，距炉子2cm处，将硅片放在炉子内的石英管中靠近Ar/N2出气口一侧，距装有三氧化钼的石英舟3～5cm处；启动真空泵，将石英管内抽真空至压强达到0.1Pa以下，通入氩气或氮气，氩气或氮气的流速为10～20mL/min，并同时启动加热系统，将温度从室温升温至600℃～700℃，并在温度为600℃～700℃下维持10min～20min，然后关闭加热系统，并提高氩气或氮气流速到200～500mL/min，自然冷却至室温，关闭真空泵，待到石英管内压强达到常压，取出表面生长有二硫化钼纳米墙的硅片，即完成二硫化钼纳米墙的生长。