[发明专利]阵列基板的制造方法、阵列基板、灰度掩膜板和显示装置在审

专利信息
申请号: 201610145997.9 申请日: 2016-03-14
公开(公告)号: CN105810688A 公开(公告)日: 2016-07-27
发明(设计)人: 董宜萍;张磊;高天佑 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 滕一斌
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种阵列基板的制造方法、阵列基板、灰度掩膜板和显示装置,属于显示技术领域。该方法包括:在衬底基板上依次形成透明导电层和金属层;在形成有透明导电层和金属层的衬底基板上形成光刻胶图案;去除无光刻胶区对应的透明导电层和金属层;去除第二光刻胶区的光刻胶;去除第二光刻胶区对应的金属层,露出像素电极;去除第一光刻胶区的光刻胶,露出预设金属图案。本发明通过同一光刻胶图案来形成第一数据线及第二数据线,使第一数据线能够正好叠在第二数据线上,解决了相关技术中可能由于人工误差和机械误差等因素,使第二数据线失效的问题。达到了第一数据线与第二数据线能够正好重叠在一起的效果。
搜索关键词: 阵列 制造 方法 灰度 掩膜板 显示装置
【主权项】:
一种阵列基板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:在衬底基板上依次形成透明导电层和金属层;在形成有所述透明导电层和所述金属层的衬底基板上形成光刻胶图案,所述光刻胶图案包括第一光刻胶区、第二光刻胶区和无光刻胶区,所述第一光刻胶区的光刻胶的厚度大于所述第二光刻胶区的光刻胶的厚度,所述第一光刻胶区的形状与预设金属图案的形状相同,所述预设金属图案包括第一源极、第一漏极和第一数据线,所述第二光刻胶区的形状与像素电极的形状相同,所述光刻胶图案上除所述第一光刻胶区和所述第二光刻胶区外的区域为所述无光刻胶区;去除所述无光刻胶区对应的透明导电层和金属层,所述金属层上形成有第一电极和所述第一数据线,所述透明导电层上形成有与所述第一数据线形状相同的第二数据线,所述第一电极为所述第一源极或所述第一漏极;去除所述第二光刻胶区的光刻胶;去除所述第二光刻胶区对应的所述金属层,露出所述像素电极;去除所述第一光刻胶区的光刻胶,露出所述预设金属图案。
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