[发明专利]一种可寻址层析视场的液晶基成像探测芯片有效
申请号: | 201610145847.8 | 申请日: | 2016-03-15 |
公开(公告)号: | CN105826341B | 公开(公告)日: | 2018-11-30 |
发明(设计)人: | 张新宇;信钊炜;魏东;袁莹;彭莎;张波;吴勇;王海卫;谢长生 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 廖盈春 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种可寻址层析视场的液晶基成像探测芯片。包括面阵电控液晶成像微透镜和面阵光敏探测器,其中,单元电控液晶成像微透镜用于对目标通过物镜形成的压缩光场执行进一步的汇聚式压缩,通过调变加载在所述面阵电控液晶成像微透镜上的信号电压的均方幅值,调变所述单元电控液晶成像微透镜的光汇聚能力,进而调变由物镜和所述单元电控液晶成像微透镜共同确定的目标对焦平面,从而在深度方向上改变能清晰成像的目标图层,执行成像视场在深度方向上的可寻址层析检录。该芯片易与其它功能性光学、光电及电子学结构耦合,易于插入常规成像光路中替换传统光敏成像芯片执行寻址层析视场式的成像探测。 | ||
搜索关键词: | 一种 寻址 层析 视场 液晶 成像 探测 芯片 | ||
【主权项】:
1.一种可寻址层析视场的液晶基成像探测芯片,其特征在于,包括面阵电控液晶成像微透镜和面阵光敏探测器;所述面阵电控液晶成像微透镜包括液晶材料层,依次设置在液晶材料层上表面的第一液晶初始定向层、图形化电极层和第一基片,以及依次设置在液晶材料层下表面的第二液晶初始定向层、平面电极层和第二基片;所述平面电极层由导电透光膜构成,所述图形化电极层由其上布有m×n元阵列分布的电极微孔的导电透光膜构成,其中,m、n均为大于1的整数;所述面阵电控液晶成像微透镜被划分成m×n元阵列分布的单元电控液晶成像微透镜,所述单元电控液晶成像微透镜与所述电极微孔一一对应,每个电极微孔位于对应的单元电控液晶成像微透镜的中心,形成单元电控液晶成像微透镜的上电极,所有单元电控液晶成像微透镜的下电极由所述平面电极层提供;所述面阵光敏探测器被划分成m×n元阵列分布的子面阵光敏探测器,所述子面阵光敏探测器与所述单元电控液晶成像微透镜一一对应;所述单元电控液晶成像微透镜用于对目标通过物镜形成的压缩光场执行进一步的汇聚式压缩,通过调变加载在所述面阵电控液晶成像微透镜上的信号电压的均方幅值,调变所述单元电控液晶成像微透镜的光汇聚能力,进而调变由物镜和所述单元电控液晶成像微透镜共同确定的目标对焦平面,从而在深度方向上改变能清晰成像的目标图层,执行成像视场在深度方向上的可寻址层析检录。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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