[发明专利]一种铁硼硅系软磁合金的制备方法在审

专利信息
申请号: 201610145644.9 申请日: 2016-03-15
公开(公告)号: CN105695900A 公开(公告)日: 2016-06-22
发明(设计)人: 李秋燕 申请(专利权)人: 李秋燕
主分类号: C22C45/02 分类号: C22C45/02;H01F1/153;C30B29/52;C30B15/20;C30B33/02
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 汤东凤
地址: 312500 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种铁硼硅系软磁合金的制备方法,该铁硼硅系软磁合金由以下原子配比的合金制成:(Fe1-xNbx1-a-b-c-d(B1-yVyaSibTicHfd,其中x=0.03-0.05,y=0.15-0.18,a=0.1-0.15,b=0.12-0.16,c=0.01-0.02,d=0.01-0.015。本发明制备的铁硼硅系软磁合金,具有非晶合金成本低廉,具有较好的非晶形成能力,高饱和磁化强度和低矫顽力。
搜索关键词: 一种 铁硼硅系软磁 合金 制备 方法
【主权项】:
一种铁硼硅系软磁合金的制备方法,该铁硼硅系软磁合金由以下原子配比的合金制成:(Fe1‑xNbx1‑a‑b‑c‑d(B1‑yVyaSibTicHfd,其中x=0.03‑0.05,y=0.15‑0.18, a=0.1‑0.15,b=0.12‑0.16,c=0.01‑0.02,d=0.01‑0.015;该方法包括如下步骤:(1)按照上述分子式称取各元素进行配料,打磨去除金属原料的表面氧化皮,按照摩尔比进行精确称量配比并使用乙醇超声波清洗原料; (2)将步骤(1)配制的原料装入熔炼炉中,在惰性气氛保护下进行熔炼,对炉体抽真空至真空度≤1×10‑2Pa,充入纯氩气直到炉内压力达到0.4‑0.5个大气压,充分合金需熔炼3‑5遍,保证熔炼均匀,冷却后得到成分均匀的母合金铸锭;(3)采用常规的提拉法生长(Fe1‑xNbx1‑a‑b‑c‑d(B1‑yVyaSibTicHfd单晶体:将步骤(2)获得的锭子在上述磁悬浮冷坩埚中加热至1250‑1350℃保持30‑45分钟,从步骤(2)获得的熔炼锭子上切取2×2×7mm尺寸的(Fe1‑xNbx1‑a‑b‑c‑d(B1‑yVyaSibTicHfd小单晶颗粒作为籽晶,采用30‑45转/分钟的籽晶旋转速率,使籽晶下端接触熔融原料的液面,然后以30‑35mm/小时的均匀速率提升籽晶杆,将凝固结晶的晶体向上提拉,提拉过程中调整熔体温度使生长的晶体直径从籽晶的2mm变大到10mm,然后保持不变,直到获得直径为10mm,长度为100mm的高质量(Fe1‑xNbx1‑a‑b‑c‑d(B1‑yVyaSibTicHfd单晶棒;(4)将步骤(3)所得到的(Fe1‑xNbx1‑a‑b‑c‑d(B1‑yVyaSibTicHfd单晶棒提拉脱离熔融的原料表面,以10‑20℃/分钟的降温速率缓慢冷却至室温,最后取出; (5)将步骤(4)所得到的样品在1000℃热处理36‑96小时,降温至500℃再热处理40‑56小时,然后再以10‑15℃/秒的降温速率冷却,以使获得的(Fe1‑xNbx1‑a‑b‑c‑d(B1‑yVyaSibTicHfd合金材料具有更高的成分均匀性和原子有序性。
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