[发明专利]一种铁硼硅系软磁合金的制备方法在审
申请号: | 201610145644.9 | 申请日: | 2016-03-15 |
公开(公告)号: | CN105695900A | 公开(公告)日: | 2016-06-22 |
发明(设计)人: | 李秋燕 | 申请(专利权)人: | 李秋燕 |
主分类号: | C22C45/02 | 分类号: | C22C45/02;H01F1/153;C30B29/52;C30B15/20;C30B33/02 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 312500 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 铁硼硅系软磁 合金 制备 方法 | ||
1.一种铁硼硅系软磁合金的制备方法,该铁硼硅系软磁合金由以下原子配比的合金制成:(Fe1-xNbx)1-a-b-c-d(B1-yVy)aSibTicHfd,其中x=0.03-0.05,y=0.15-0.18,a=0.1-0.15,b=0.12-0.16,c=0.01-0.02,d=0.01-0.015;
该方法包括如下步骤:
(1)按照上述分子式称取各元素进行配料,打磨去除金属原料的表面氧化皮,按照摩尔比进行精确称量配比并使用乙醇超声波清洗原料;
(2)将步骤(1)配制的原料装入熔炼炉中,在惰性气氛保护下进行熔炼,对炉体抽真空至真空度≤1×10-2Pa,充入纯氩气直到炉内压力达到0.4-0.5个大气压,充分合金需熔炼3-5遍,保证熔炼均匀,冷却后得到成分均匀的母合金铸锭;
(3)采用常规的提拉法生长(Fe1-xNbx)1-a-b-c-d(B1-yVy)aSibTicHfd单晶体:将步骤(2)获得的锭子在上述磁悬浮冷坩埚中加热至1250-1350℃保持30-45分钟,从步骤(2)获得的熔炼锭子上切取2×2×7mm尺寸的(Fe1-xNbx)1-a-b-c-d(B1-yVy)aSibTicHfd小单晶颗粒作为籽晶,采用30-45转/分钟的籽晶旋转速率,使籽晶下端接触熔融原料的液面,然后以30-35mm/小时的均匀速率提升籽晶杆,将凝固结晶的晶体向上提拉,提拉过程中调整熔体温度使生长的晶体直径从籽晶的2mm变大到10mm,然后保持不变,直到获得直径为10mm,长度为100mm的高质量(Fe1-xNbx)1-a-b-c-d(B1-yVy)aSibTicHfd单晶棒;
(4)将步骤(3)所得到的(Fe1-xNbx)1-a-b-c-d(B1-yVy)aSibTicHfd单晶棒提拉脱离熔融的原料表面,以10-20℃/分钟的降温速率缓慢冷却至室温,最后取出;
(5)将步骤(4)所得到的样品在1000℃热处理36-96小时,降温至500℃再热处理40-56小时,然后再以10-15℃/秒的降温速率冷却,以使获得的(Fe1-xNbx)1-a-b-c-d(B1-yVy)aSibTicHfd合金材料具有更高的成分均匀性和原子有序性。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的步骤(1)中,原材料的纯度均不低于99wt.%,所述的步骤(2)中,熔炼温度为1500-1800℃,熔炼时间为20-40分钟。
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