[发明专利]GOI衬底上的光电子和CMOS集成

摘要

一种用于将光电子器件和硅器件形成在单个芯片上的方法。该方法可以包括：在单个芯片的第一区域和第二区域中形成硅衬底；将锗层形成在至少第一区域中的衬底之上；将光电子器件形成在第一区域中的锗层上，光电子器件具有顶部熔覆层、底部熔覆层以及有源区域，底部熔覆层处在半导体层上，有源区域邻近波导并且处在底部熔覆层上，顶部熔覆层处在有源区域上；以及将硅器件形成在第二区域中的硅层上。

主权项

1.一种用于半导体器件制造的方法，包括：在第一区域和第二区域中形成绝缘体上半导体SOI衬底，所述SOI衬底包括第一绝缘体层上的半导体层，并且所述第一绝缘体层处在衬底上；从所述第二区域去除所述半导体层和所述绝缘体层，其中所述衬底的顶表面被暴露；将第二绝缘体层形成在所述第一区域中的所述半导体层上；将衬底延伸层形成在所述第二区域中的被暴露的衬底上；将所述器件形成在所述衬底延伸层上；将覆盖所述器件的器件绝缘体层形成在所述第二区域中；将波导形成在所述第二绝缘体层中；以及将光电子器件形成在所述第一区域中，所述光电子器件具有底部熔覆层、有源区域以及顶部熔覆层，其中所述底部熔覆层处在所述半导体层上，所述有源区域处在所述底部熔覆层上，并且所述顶部熔覆层处在所述有源区域上。