[发明专利]制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201610127269.5 | 申请日： | 2012-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN105679677B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 冈治成治 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及制造半导体器件的方法。栅电极的上端位于半导体衬底的表面下方。绝缘层形成在栅电极上和位于其周围的半导体衬底上。绝缘层具有第一绝缘膜和低透氧绝缘膜。第一绝缘膜例如为NSG膜并且低透氧绝缘膜例如为SiN膜。此外，第二绝缘膜形成在低透氧绝缘膜上。第二绝缘膜例如为BPSG膜。在形成绝缘膜之后通过利用氧化气氛的处理来提高垂直MOS晶体管的耐TDDB性。此外，由于绝缘层具有低透氧绝缘膜，因此，能够抑制垂直MOS晶体管的阈值电压的波动。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：(a)将凹部形成到半导体衬底的表面，所述半导体衬底在背面侧上具有漏极层；(b)在所述凹部的内壁上形成栅极绝缘膜；(c)将栅电极掩埋在所述凹部中；(d)将源极层形成到所述半导体衬底的表面侧上；(e)在所述栅电极之上形成第三绝缘膜，(f)在形成所述栅极绝缘膜之后并且在掩埋所述栅电极之后，在所述第三绝缘膜之上形成第一绝缘膜；(g)在所述第一绝缘膜之上形成第二绝缘膜；以及(h)从所述第一绝缘膜上方并且从所述第二绝缘膜上方执行利用氧化气氛的处理，其中，所述第一绝缘膜所具有的透氧性低于所述第二绝缘膜的透氧性，以及其中，所述第一绝缘膜所具有的透氧性低于所述第三绝缘膜的透氧性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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