[发明专利]载体、其制造方法及使用载体制造无芯封装基板的方法有效
申请号: | 201610126659.0 | 申请日: | 2016-03-07 |
公开(公告)号: | CN105870026B | 公开(公告)日: | 2019-03-19 |
发明(设计)人: | 张志强;白四平;杨志刚;程文则 | 申请(专利权)人: | 武汉光谷创元电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/58 | 分类号: | H01L21/58;H01L23/12 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘林华;肖日松 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及载体、其制造方法及使用载体制造无芯封装基板的方法。一种制造用于无芯封装基板(100)的载体(10)的方法,包括:步骤S1,形成固化树脂(12);以及步骤S2,在固化树脂(12)的表面(14)形成易于剥离的导体层(16),该导体层(16)与固化树脂(12)之间的结合力为0.01‑0.05N/mm。 | ||
搜索关键词: | 载体 制造 方法 使用 封装 | ||
【主权项】:
1.一种制造用于无芯封装基板的载体的方法,包括以下步骤:S1:形成固化树脂;以及S2:在所述固化树脂的表面形成易于剥离的导体层,包括先在所述固化树脂的表面形成导电籽晶层,之后在所述导电籽晶层上形成导体加厚层,所述导电籽晶层与所述导体加厚层组成所述导体层,其中,通过下列方式来形成所述导电籽晶层:通过离子注入将导电材料注入到所述固化树脂的表面下方,以形成离子注入层作为所述导电籽晶层;或者通过等离子体沉积将导电材料沉积在所述固化树脂的表面上,以形成等离子体沉积层作为所述导电籽晶层;或者先通过离子注入将导电材料注入到所述固化树脂的表面下方以形成离子注入层,之后通过等离子体沉积在所述离子注入层的上方形成等离子体沉积层,所述离子注入层与所述等离子体沉积层一起组成所述导电籽晶层,并且其中,所述导体层与所述固化树脂之间的结合力为0.01‑0.05N/mm,所述固化树脂的表面粗糙度为2.5μm以下,并且所述导体加厚层包括厚度为0‑5μm的Cu层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉光谷创元电子有限公司,未经武汉光谷创元电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610126659.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造