[发明专利]基于CH3NH3PbI3材料的光电晶体管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种基于CH₃NH₃PbI₃材料的光电晶体管及其制作方法。主要解决现有硅材料光电二极管、光电三极管在探测可见光时容易受到红外波段光线干扰的缺点。本发明的晶体管结构包括衬底1、空穴传输层2、光吸收层3、电子传输层4、空穴传输层5，顶电极6、底电极7。空穴传输层2、光吸收层3、电子传输层4、空穴传输层5依次从衬底开始向上逐层沉积，形成多层结构的光电晶体管；所述的光吸收层3采用CH₃NH₃PbI₃材料。本发明的晶体管使用旋涂工艺沉积1、空穴传输层2、光吸收层3、电子传输层4、空穴传输层5，具有制作成本低廉、制作工艺简单，抗红外波段光线干扰、光探测灵敏度高的优点。

主权项

一种基于CH₃NH₃PbI₃材料的光电晶体管，包括：衬底(1)、空穴传输层(2)、光吸收层(3)、电子传输层(4)、空穴传输层(5)，顶电极(6)、底电极(7)；其特征在于：所述的空穴传输层(2)、光吸收层(3)、电子传输层(4)、空穴传输层(5)依次从衬底(1)向上逐层沉积，形成多层结构的光电晶体管；所述的光吸收层(3)采用CH₃NH₃PbI₃材料。