[发明专利]基于CH3NH3PbI3材料的光电晶体管及其制作方法在审
| 申请号: | 201610124402.1 | 申请日: | 2016-03-04 |
| 公开(公告)号: | CN105576129A | 公开(公告)日: | 2016-05-11 |
| 发明(设计)人: | 韩根全;张春福;胡毓聪;孙旭;郝跃 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
| 主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司: | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人: | 田文英;王品华 |
| 地址: | 710071*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 ch sub nh pbi 材料 光电晶体管 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明属于电子技术领域,更进一步涉及微电子器件技术领域中的一种基于 CH3NH3PbI3材料的光电晶体管及其制作方法。本发明作为光电传感器件,用于 可见光波段的光强度测量和光脉冲测量。
背景技术
随着电子技术的蓬勃发展,市场对光电传感器件的需求与日俱增,并对器件 性能不断提出更高更细致的要求。近年来,随着可见光无线通信技术的崛起,市 场对可见光波段的光电传感器提出了新的要求。
基于传统硅基材料的光电二极管、光电三极管的可见光波段探测器由于材料 的带隙较窄,波长响应会延续到红外波段,容易受到红外光波段的干扰。此外硅 光传感器使用时需要较高的偏置电压,功耗相对较高;硅光传感器制作时需要使 用复杂的高温扩散等工艺,制作成本高。
常州大学申请的专利“一种钙钛矿结构太阳能电池及其制备方法”(申请号: 201310650505.8,公开号:103700768A)中公开了一种钙钛矿结构的太阳能电池 及其制备方法。该方法首先在FTO导电玻璃上沉积一层氧化钛或氧化锌n型致 密层,然后再沉积氧化铝阻挡层,接着制备一层杂化钙钛矿结构CH3NH3PbI3, 继续沉积氧化铝绝缘层,再然后沉积有机P型层,最后沉积金属电极层。该方法 存在的不足之处是,CH3NH3PbI3材料的应用局限于太阳能电池领域,而无法使 用在光电探测器件的应用和优化领域。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术中传统硅基材料的光电二极管、光电三极管 光电探测器容易受到红外波段干扰的不足,充分利用CH3NH3PbI3材料在可见光 波段吸收系数高、对红外光谱响应低的优点,提供一种制备成本低廉、制备工艺 简单的有电晶体管,以满足可见光探测的要求。
本发明的具体思路是:有机钙钛矿材料CH3NH3PbI3在太阳能电池领域具有 广泛而深入的研究,但将此种材料用于光探测器还少有先例。有机钙钛矿材料 CH3NH3PbI3对于可见光波段具有很高吸收系数,而在红外波段吸收系数较低, 即材料对于光的吸收具有波长选择性,故采用此种材料制作的光电晶体管可以有 效减弱红外光波段的干扰。基于此原理,本发明使用CH3NH3PbI3材料作为有电晶 体管的光吸收层。
本发明的基于CH3NH3PbI3材料的有电晶体管,包括:衬底、空穴传输层、 光吸收层、电子传输层、空穴传输层,顶电极、底电极。空穴传输层、光吸收层、 电子传输层、空穴传输层依次从衬底开始向上逐层沉积,形成多层结构的光电晶 体管。光吸收层采用CH3NH3PbI3材料。
本发明的基于CH3NH3PbI3材料的有电晶体管的制作方法,包括如下步骤:
(1)清洗衬底:
利用UV-OzoneOven设备,对衬底(1)清洗15分钟,得到已清洗的衬底;
(2)沉积薄膜:
将PEPOT:PSS溶液滴加到已清洗的衬底,用匀胶机旋涂均匀,在140摄氏 度的环境中烘烤干燥15分钟,在已清洗的衬底上形成空穴传输层(2),得到沉 积过PEPOT:PSS层的衬底;
(3)沉积薄膜:
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