[发明专利]一种NAND Flash存储器和存储器中坏块的处理方法在审
| 申请号： | 201610121503.3 | 申请日： | 2016-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN105786719A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 胡洪;刘会娟;钱建琴 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/06 | 分类号： | G06F12/06;G11C16/08 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬;邓猛烈 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种NAND Flash存储器和存储器中坏块的处理方法，所述存储器包括：多个存储块和标记存储器；所述标记存储器包括第一存储区域，所述第一存储区域中比特个数与所述存储块的个数相等；所述第一存储区域中的每个比特与所述存储块一一对应；所述第一存储区域中的比特的值标识与所述比特对应的存储块的块状态。本发明实施例提供的技术方案，查询存储块是否为坏块的速度较快，提高了存储过程的工作效率，在标记存储器中设置有备用存储空间，避免影响存储块的使用，提高了存储器的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nand flash 存储器 中坏块 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种NAND Flash存储器，其特征在于，包括：多个存储块和标记存储器；所述标记存储器包括第一存储区域，所述第一存储区域中比特个数与所述存储块的个数相等；所述第一存储区域中的每个比特与所述存储块一一对应；所述第一存储区域中的比特的值标识与所述比特对应的存储块的块状态。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京兆易创新科技股份有限公司，未经北京兆易创新科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610121503.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种页面缓存动态处理方法
- 下一篇：一种功耗自动化测试数据处理方法
