[发明专利]一种窄条脊形GaAs基激光器的制备方法及GaAs基激光器

摘要

一种窄条脊形GaAs基激光器的制备方法，包括：首先在外延片的表面使用第一块光刻掩膜版光刻出一定宽度的图形光刻胶，其中在外延片表面的特定区域上面光刻出一定的图形刻度，然后使用第二块光刻掩膜版，利用光刻掩膜版特定区域上面的图形刻度和外延片表面一次光刻制备出图形刻度相对应，光刻出符合尺寸要求的图形，最后经过腐蚀、生长电极、减薄、合金、封装等工步形成激光器。采用本发明的方法，一方面可以不使用昂贵的设备就可以实现小尺寸图形的光刻，同时掩模光刻胶还可以作为掩蔽膜进行外延片图形的腐蚀；另外，可以不采用套刻的方式使电流阻挡层覆盖到脊条图形的侧面，有利于发光效率和输出光功率的改善，可有效的提高了激光器的性能。

主权项

1.一种窄条脊形GaAs基激光器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括步骤如下：(1)旋涂光刻胶在外延片表面旋涂正性光刻胶形成光刻胶层；(2)一次光刻图形利用第一块光刻掩模版对光刻胶层进行曝光；所述第一块光刻掩模版上设置有多条相互平行、且一端对齐的第一图形刻度；然后通过显影移除曝光部分的光刻胶，在所述外延片上光刻出所需要的图形光刻胶以及第一图形刻度；(3)二次光刻图形利用第二块光刻掩模版对光刻胶层进行曝光；所述第二块光刻掩模版上设置有多条相互平行、且一端对齐的第二图形刻度；该第二图形刻度与第一图形刻度呈对称设置；根据需要光刻出窄条脊形的线宽尺寸，在外延片上面找到第一次光刻制备的第一图形刻度，在所述第二块光刻掩模版上找到第二图形刻度，然后将第二块光刻掩模版上面所选尺寸的图形与外延片上面第一次光刻出的相对应的尺寸图形重合对齐，然后曝光通过显影移除曝光部分的光刻胶，然后将外延片在烘箱内90℃‑110℃下烘烤15‑30min或者热板90℃‑110℃烘烤1‑4min；(4)湿法腐蚀采用湿法腐蚀方法将没有光刻胶掩蔽的外延层表面腐蚀到目标深度后予以移除，以在所述外延片上得到所述线宽尺寸的窄条脊形结构；(5)生长电流阻挡层在所述外延片表面上利用PECVD生长电流阻挡层，厚度为(6)剥离光刻胶剥离掉有光刻胶位置处的电流阻挡层,形成电流注入窗口，并使电流阻挡层均匀地覆盖在窄条脊形结构的两侧面。