[发明专利]一种窄条脊形GaAs基激光器的制备方法及GaAs基激光器

权利要求书

1.一种窄条脊形GaAs基激光器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括步骤如下：

(1)旋涂光刻胶

在外延片表面旋涂正性光刻胶形成光刻胶层；

(2)一次光刻图形

利用第一块光刻掩模版对光刻胶层进行曝光；

所述第一块光刻掩模版上设置有多条相互平行、且一端对齐的第一图形刻度；

然后通过显影移除曝光部分的光刻胶，在所述外延片上光刻出所需要的图形光刻胶以及第一图形刻度；

(3)二次光刻图形

利用第二块光刻掩模版对光刻胶层进行曝光；

所述第二块光刻掩模版上设置有多条相互平行、且一端对齐的第二图形刻度；该第二图形刻度与第一图形刻度呈对称设置；

根据需要光刻出窄条脊形的线宽尺寸，在外延片上面找到第一次光刻制备的第一图形刻度，在所述第二块光刻掩模版上找到第二图形刻度，然后将第二块光刻掩模版上面所选尺寸的图形与外延片上面第一次光刻出的相对应的尺寸图形重合对齐，然后曝光通过显影移除曝光部分的光刻胶，然后将外延片在烘箱内90℃-110℃下烘烤15-30min或者热板90℃-110℃烘烤1-4min；

(4)湿法腐蚀

采用湿法腐蚀方法将没有光刻胶掩蔽的外延层表面腐蚀到目标深度后予以移除，以在所述外延片上得到所述线宽尺寸的窄条脊形结构；

(5)生长电流阻挡层

在所述外延片表面上利用PECVD生长电流阻挡层，厚度为

(6)剥离光刻胶

剥离掉有光刻胶位置处的电流阻挡层,形成电流注入窗口，并使电流阻挡层均匀地覆盖在窄条脊形结构的两侧面。

2.根据权利要求1所述的一种窄条脊形GaAs基激光器的制备方法，其特征在于，所述第一图形刻度按照长短顺序依次排列、所述第二图形刻度按照长短顺序依次排列。

3.根据权利要求1所述的一种窄条脊形GaAs基激光器的制备方法，其特征在于，在上述步骤(6)后，还包括步骤(7)：将剥离电流阻挡层以后的外延片进行以下工步处理，包括：P面电极蒸镀、减薄、N面电极蒸镀、合金和封装。

4.根据权利要求1所述的一种窄条脊形GaAs基激光器的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中所述光刻胶层的厚度为

5.根据权利要求1所述的一种窄条脊形GaAs基激光器的制备方法，其特征在于，所述的第一块光刻掩模版中的图形宽度为：15-100μm；所述的第二块光刻掩模版中的图形宽度为：15-100μm。

6.根据权利要求1所述的一种窄条脊形GaAs基激光器的制备方法，其特征在于，所述的第一块光刻掩模版上第一图形刻度的范围：1-10μm；所述的第二块光刻掩模版上第二图形刻度的范围：1-10μm。

7.根据权利要求1所述的一种窄条脊形GaAs基激光器的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)中所述湿法腐蚀方法，是利用分析纯的磷酸、双氧水、去离子水的混合液，以及饱和溴水分别将没有光刻胶掩蔽的外延片腐蚀目标深度。

8.根据权利要求7所述的一种窄条脊形GaAs基激光器的制备方法，其特征在于，所述分析纯的磷酸、双氧水、去离子水的混合液中，所有组分的体积比为，分析纯的磷酸：双氧水：去离子水＝1:1:3～1:1:4。

9.根据权利要求1所述的一种窄条脊形GaAs基激光器的制备方法，其特征在于，将没有光刻胶掩蔽的外延片腐蚀目标深度为7000-9000埃；步骤(5)中所述的电流阻挡层为SiO₂。