[发明专利]具有钝化层粗化结构的GaN基LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201610115913.7 | 申请日： | 2016-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN105742441A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 王全新;徐晓强;彭璐;刘琦 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南日新专利代理事务所 37224 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种具有钝化层粗化结构的GaN基LED芯片及其制备方法，该芯片包括由下而上依次设置的n型GaN层、量子阱层和p型GaN层，p型GaN层上沉积有透明导电层，透明导电层和n型GaN层上均设置有金属电极，n型GaN层上设置有台面结构，透明导电层上表面设置有粗化钝化层；在p型GaN层的表面沉积透明导电层，对透明导电层退火处理，然后沉积钝化层薄膜，钝化层薄膜进行湿法腐蚀。本发明通过采取粗化的钝化层结构，使GaN基LED芯片有源区产生的光能够更多的被提取出来，提高了GaN LED芯片的外量子效率，也就提高了GaN LED芯片的亮度，同时制备过程没有增加额外的步骤，在成本没有提高的基础上提高了芯片亮度，适合批量化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 钝化 层粗化 结构 gan led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有钝化层粗化结构的GaN基LED芯片，包括由下而上依次设置的n型GaN层、量子阱层和p型GaN层，其特征是：p型GaN层上沉积有透明导电层，透明导电层和n型GaN层上均设置有金属电极，n型GaN层上设置有台面结构，透明导电层上表面除金属电极以外的区域和n型GaN层上表面除金属电极以外的区域均设置有粗化钝化层。
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