[发明专利]半导体器件

摘要

一种半导体器件，包括连接至同一电源的第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管和第二晶体管的每一个，在设置在第一导电类型的源极区与漏极区之间的低浓度沟道区下方包括第二导电类型的浓度较高的杂质区。使第一晶体管和第二晶体管之一的栅极绝缘膜的厚度大于另一个的栅极绝缘膜的厚度。根据本公开，可以将晶体管中的截止电流抑制得较低。

主权项

1.一种半导体器件，包括连接至第一电源的第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管包括：第一栅极绝缘膜，设置在半导体衬底上方；第一栅极电极，设置在所述第一栅极绝缘膜上方；第一源极区和第一漏极区，在所述半导体衬底中分别设置在所述第一栅极电极的两侧，且包含第一导电类型的杂质；第一沟道区，在所述半导体衬底中设置在所述第一源极区与所述第一漏极区之间；以及第一杂质区，在所述半导体衬底中设置在所述第一沟道区下方，且包含与所述第一导电类型不同的第二导电类型的杂质，浓度高于所述第一沟道区，以及所述第二晶体管包括：第二栅极绝缘膜，设置在所述半导体衬底上方；第二栅极电极，设置在所述第二栅极绝缘膜上方；第二源极区和第二漏极区，在所述半导体衬底中分别设置在所述第二栅极电极的两侧，且包含所述第一导电类型的杂质；第二沟道区，在所述半导体衬底中设置在所述第二源极区与所述第二漏极区之间；以及第二杂质区，在所述半导体衬底中设置在所述第二沟道区下方，且包含所述第二导电类型的杂质，浓度高于所述第二沟道区，其中所述第一栅极绝缘膜的厚度大于所述第二栅极绝缘膜的厚度；包含在所述第一杂质区中的所述第二导电类型的杂质的浓度低于包含在所述第二杂质区中的所述第二导电类型的杂质的浓度。