[发明专利]高压氮化镓肖特基二极管有效
| 申请号： | 201610108585.8 | 申请日： | 2016-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN106486553B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | A·伊万 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(图尔)公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/47 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本公开提供高压氮化镓肖特基二极管。肖特基二极管形成在硅支撑部上。非掺杂GaN层覆在硅支撑部上面。AlGaN层覆在非掺杂GaN层上面。形成欧姆接触的第一金属化层和形成肖特基接触的第二金属化层被设置在AlGaN层中和AlGaN层上。第一过孔从第一金属化层朝向硅支撑部延伸。第二过孔从第二金属化层朝向上表面延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 氮化 镓肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基二极管，在下表面和上表面之间根据以下顺序包括：/n绝缘体上硅衬底，包括掺杂硅支撑部、在所述掺杂硅支撑部上的氧化硅层以及在所述氧化硅层上的硅层；/n非掺杂硅层；/n缓冲层；/n非掺杂GaN层；以及/nAlGaN层；以及/n所述肖特基二极管进一步包括：/n第一金属化层，穿过所述AlGaN层延伸，形成欧姆接触；/n第二金属化层，在所述AlGaN层上，形成肖特基接触；/n第一过孔，从所述第一金属化层朝向所述下表面延伸并且穿过所述非掺杂GaN层、所述缓冲层、所述非掺杂硅层、所述硅层和所述氧化硅层；/n第二过孔，从所述第二金属化层朝向所述上表面延伸；/n第三金属化层，覆盖所述下表面并且直接耦合到所述掺杂硅支撑部；以及/n第四金属化层，覆盖所述上表面并且电耦合到所述第二过孔。/n
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