[发明专利]一种高介电系数聚酰亚胺薄膜有效
| 申请号： | 201610102869.6 | 申请日： | 2016-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN105542459B | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 徐伟伟;王勇;王世林;张克杰;李亚平;梁永飞 | 申请（专利权）人： | 江苏亚宝绝缘材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C08L79/08 | 分类号： | C08L79/08;C08K3/00;C08K3/34;C08K3/04;C08K3/22;C08K3/30;C08G73/10;C08J5/18 |
| 代理公司： | 北京文苑专利代理有限公司11516 | 代理人： | 何新平 |
| 地址： | 225800 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高介电系数聚酰亚胺薄膜及其制备方法。以二酸酐单体和二胺单体缩聚得到的聚酰亚胺为基体，并掺杂富勒烯，青金石粉和纳米蒙脱土，其中富勒烯在薄膜中的重量百分比为1‑3％，青金石粉在薄膜中的重量百分比为0‑3％，纳米蒙脱土在薄膜中的重量百分比为0‑3％。本发明的聚酰亚胺薄膜介电常数在12‑18之间，介电常数高，是优良的制作电容的材料，其机械强度和各项物理指标与普通聚酰亚胺薄膜相同，保持耐高温，高强度，稳定性高，具有优异曲挠性的特点，并且经久耐用，长时间保持高介电常数，制备方法简单，适合大规模化生产应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高介电 系数 聚酰亚胺 薄膜 | ||
【主权项】：
一种高介电系数聚酰亚胺薄膜，其特征在于，以二酸酐单体和二胺单体缩聚得到的聚酰亚胺为基体，并掺杂富勒烯，青金石粉和纳米蒙脱土，其中富勒烯在薄膜中的重量百分比为1‑3％，青金石粉在薄膜中的重量百分比为0‑3％，纳米蒙脱土在薄膜中的重量百分比为0‑3％；青金石粉和纳米蒙脱土的含量不同时为0；所述聚酰亚胺薄膜还包括氧化镧，硫酸镧，氧化锆，氧化铈，钪金属粉，钇金属粉，镧金属粉中的一种或一种以上。
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