[发明专利]具有电荷平衡的内沟槽结构的双极型半导体器件有效
| 申请号： | 201610098460.1 | 申请日： | 2016-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN105938846B | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | F·乌德雷亚;A·P-S·谢;G·卡穆索;C·吴;Y·唐;R·K·维特拉 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技美国公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 李隆涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请公开了具有电荷平衡的内沟槽结构的双极型半导体器件的各个实施例。这种器件包括附着在具有第二导电类型的阳极层上的具有第一导电类型的漂移区。该器件还包括穿过具有第二导电类型的反型区延伸到漂移区中的第一和第二控制沟槽，每个第一和第二控制沟槽由具有第一导电类型的阴极扩散部界边。另外，该器件包括内沟槽结构，其在漂移区内位于第一与第二控制沟槽之间。内沟槽结构包括一个或多个具有第一导电类型的导电区以及一个或多个具有第二导电类型的导电区，一个或多个具有第一导电类型的导电区与一个或多个具有第二导电类型的导电区使得内沟槽结构大致电荷平衡。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电荷 平衡 沟槽 结构 双极型 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种双极型半导体器件，其包括：具有第一导电类型的漂移区，所述漂移区附着在阳极层上，所述阳极层具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；穿过具有所述第二导电类型的反型区延伸到所述漂移区中的第一控制沟槽和第二控制沟槽，所述第一控制沟槽和第二控制沟槽每个由阴极扩散部界边；内沟槽结构，所述内沟槽结构在所述漂移区中位于所述第一控制沟槽和第二控制沟槽之间，且：包含设置在所述内沟槽结构的中心处的具有所述第一导电类型的第一导电区，在从所述中心向着所述第一控制沟槽的第一侧向方向上，包含第二导电区，所述第二导电区邻近所述第一导电区且具有所述第二导电类型，所述第一导电区的另外部分在所述第一控制沟槽和所述第二导电区之间邻近所述第二导电区，以及在从所述中心向着所述第二控制沟槽的第二侧向方向上，所述第二导电区的另外部分邻近所述第一导电区，所述第一导电区的第二另外部分在所述第二控制沟槽与所述第二导电区的所述另外部分之间邻近所述第二导电区的所述另外部分；所述第一导电区和所述第二导电区被构造成使得所述内沟槽结构大致电荷平衡。
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