[发明专利]晶体硅电池背面电极的沉积方法、及得到的晶体硅电池

摘要

本发明涉及一种晶体硅电池背面电极的沉积方法，其特征在于，所述方法包括对完成钝化膜局部开口工艺的晶体硅，至少在其局部开口的外周环绕沉积能够在设定温度下阻止硅元素向铝元素中溶解扩散的电极；或者，对完成钝化膜生成工艺的晶体硅，至少在其预定进行局部开口的外周环绕沉积能够在设定温度下阻止硅元素向铝元素中溶解扩散的电极；所述设定温度≤950℃。本发明可以消除目前常见的铝硅烧结过程中局部接触处的凹陷以及空洞，同时降低烧结铝层对长波长光子的吸收；进一步地通过设置电极a用于形成局部背场、局部电学接触及机械拉力，能够进一步改善PERC电池的背反射，提高电流。

主权项

一种晶体硅电池背面电极的沉积方法，其特征在于，所述方法包括：对完成钝化膜局部开口工艺的晶体硅，至少在其局部开口的外周环绕沉积能够在设定温度下阻止硅元素向铝元素中溶解扩散的电极；所述能够在设定温度下阻止硅元素向铝元素中溶解扩散的电极在局部开口的外周连续环绕一周；或者，对完成钝化膜生成工艺的晶体硅，至少在其预定进行局部开口的外周环绕沉积能够在设定温度下阻止硅元素向铝元素中溶解扩散的电极；所述能够在设定温度下阻止硅元素向铝元素中溶解扩散的电极在预定进行局部开口的外周连续环绕一周；所述设定温度≤950℃。