[发明专利]晶体硅电池背面电极的沉积方法、及得到的晶体硅电池

权利要求书

1.一种晶体硅电池背面电极的沉积方法，其特征在于，所述方法包括：对完成钝化膜局部开口工艺的晶体硅，至少在其局部开口的外周环绕沉积能够在设定温度下阻止硅元素向铝元素中溶解扩散的电极；所述能够在设定温度下阻止硅元素向铝元素中溶解扩散的电极在局部开口的外周连续环绕一周；

或者，对完成钝化膜生成工艺的晶体硅，至少在其预定进行局部开口的外周环绕沉积能够在设定温度下阻止硅元素向铝元素中溶解扩散的电极；所述能够在设定温度下阻止硅元素向铝元素中溶解扩散的电极在预定进行局部开口的外周连续环绕一周；

所述设定温度≤950℃。

2.如权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述“能够在设定温度下阻止硅元素向铝元素中溶解扩散的电极”通过沉积在设定温度下硅元素的溶解率≤2wt％的浆料实现。

3.如权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述“能够在设定温度下阻止硅元素向铝元素中溶解扩散的电极”通过沉积在设定温度下硅元素的溶解率≤0.1wt％的浆料实现。

4.如权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述“能够在设定温度下阻止硅元素向铝元素中溶解扩散的电极”通过沉积银浆料、铜浆料或者含有硅元素的铝浆料实现。

5.如权利要求4所述的沉积方法，其特征在于，所述含有硅元素的铝浆料为含有10wt％以上的硅元素的铝浆料。

6.如权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述设定温度选自50～950℃中的任一温度。

7.如权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述设定温度选自500～950℃中的任一温度。

8.如权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述晶体硅为p型硅或n型硅。

9.如权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述方法包括如下工序：

(1)对于完成钝化膜局部开口的晶体硅，在其局部开口的内部沉积含有铝元素的电极；

(2)在所述局部开口的外周环绕沉积能够在设定温度下阻止硅元素向铝元素中溶解扩散的电极；

(3)在所述晶体硅背面裸露的钝化膜区域继续沉积导电电极；

或者，所述方法包括如下工序：

(1)对于完成钝化膜局部开口的晶体硅，在所述局部开口的外周环绕沉积能够在设定温度下阻止硅元素向铝元素中溶解扩散的电极；

(2)在所述局部开口的内部沉积含有铝元素的电极；

(3)在所述晶体硅背面裸露的钝化膜区域继续沉积导电电极。

10.如权利要求9所述的沉积方法，其特征在于，所述“能够在设定温度下阻止硅元素向铝元素中溶解扩散的电极”的宽度为0.1～100μm。

11.如权利要求9所述的沉积方法，其特征在于，所述“能够在设定温度下阻止硅元素向铝元素中溶解扩散的电极”的宽度为10～30μm。

12.如权利要求4所述的沉积方法，其特征在于，当所述“能够在设定温度下阻止硅元素向铝元素中溶解扩散的电极”为银电极时，在沉积所述“能够在设定温度下阻止硅元素向铝元素中扩散的电极”的同时，沉积背银电极。

13.如权利要求9所述的沉积方法，其特征在于，当所述含有铝元素的电极和导电电极材料相同时，所述方法包括如下工序：

(1)在所述局部开口的外周环绕沉积能够在设定温度下阻止硅元素向铝元素中溶解扩散的电极；

(2)在所述晶体硅背面裸露的钝化膜区域和局部开口处继续沉积导电电极；

或者，所述方法包括如下工序：

(1)在所述晶体硅背面裸露的钝化膜区域和局部开口处继续沉积导电电极，且预留所述能够在设定温度下阻止硅元素向铝元素中溶解扩散的电极的沉积区域；

(2)在预留的沉积区域内沉积能够在设定温度下阻止硅元素向铝元素中溶解扩散的电极的沉积区域。