[发明专利]一种盲孔的制作方法有效
| 申请号： | 201610094996.6 | 申请日： | 2016-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN105513973B | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 朱得菊;吴德生 | 申请（专利权）人： | 信利光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 516600 广东省汕尾*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种盲孔的制作方法，该盲孔的制作方法包括：提供一基板，所述基板包括：相对设置的第一表面以及第二表面；在所述第一表面形成掩膜层；所述掩膜层包括：用于形成盲孔的镂空区域；对所述镂空区域进行蚀刻，形成盲孔；当蚀刻完成后，去除所述掩膜层。该盲孔的制作方法可以解决所述基板因机械外力造成损伤而导致强度不高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 盲孔 掩膜层 蚀刻 第一表面 镂空区域 制作 基板 第二表面 机械外力 相对设置 基板因 去除 损伤 | ||
【主权项】：
一种盲孔的制作方法，其特征在于，包括：提供一基板，所述基板包括：相对设置的第一表面以及第二表面；在所述第一表面形成掩膜层，在所述第二表面形成保护层；所述掩膜层包括：用于形成盲孔的镂空区域；对所述镂空区域进行化学蚀刻，形成盲孔；其中，所述蚀刻试剂为氢氟酸，所述盲孔为深度小于所述基板厚度的凹槽；当蚀刻完成后，去除所述掩膜层；其中，所述在所述第一表面形成掩膜层，在所述第二表面形成保护层包括：在所述第二表面涂覆抗蚀刻油层；在所述第一表面以及所述抗蚀刻油层表面涂覆光刻胶；对位于所述第一表面以及位于所述抗蚀刻油层表面的光刻胶进行曝光，其中，位于所述第一表面的光刻胶采用设定模具进行曝光；对所述光刻胶层进行固化处理后，再进行显影处理，清洗掉所述第一表面上对应所述镂空区域的光刻胶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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