[发明专利]用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法有效
| 申请号： | 201610094614.X | 申请日： | 2016-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN105914264B | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 奥野浩司 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;苏虹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种用于制造具有低驱动电压的第III族氮化物半导体发光器件的方法，所述方法通过急剧增加p型半导体层中的Mg浓度来实现。该制造方法包括以下步骤：形成n型接触层；形成n侧高静电击穿电压层；形成n侧超晶格层；形成发光层；形成p型覆层；形成p型中间层；以及形成p型接触层。形成p型覆层的步骤包括：在第一时间段TA1期间供应掺杂剂气体而不供应含有第III族元素的第一原料气体(TMG)；以及在第一时间段TA1之后的第二时间段TA2期间供应第一原料气体(TMG)和掺杂剂气体以生长半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 iii 氮化物 半导体 发光 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成n型半导体层；在所述n型半导体层上形成发光层；在所述发光层上形成第一p型半导体层；以及在所述第一p型半导体层上形成p型接触层，其中形成所述第一p型半导体层包括在第一时间段期间供应掺杂剂气体而不供应含有第III族元素的第一原料气体，以及在所述第一时间段之后的第二时间段期间供应所述第一原料气体和所述掺杂剂气体以生长半导体层。
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