[发明专利]带有增益(EC)的上转换器件和光检测器有效
申请号: | 201610090356.8 | 申请日: | 2012-02-28 |
公开(公告)号: | CN105742395B | 公开(公告)日: | 2019-02-15 |
发明(设计)人: | 弗兰基·索;金渡泳;布哈本德拉·普拉丹 | 申请(专利权)人: | 佛罗里达大学研究基金会有限公司;纳米控股有限公司 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有;顾晋伟 |
地址: | 美国佛*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及一种带有增益(EC)的上转换器件和光检测器。其中本发明实施方案涉及带有增益的IR光检测器,其产生自将电荷倍增层(CML)置于光检测器的阴极和IR敏化层之间,其中在CML处累积的电荷降低了阴极和CML之间的能差以促进电子的注入,这导致了单载子电子元件的增益。本发明的其它实施方案涉及将带有增益的IR光检测器纳入可用在夜视和其它应用中的IR至可见光上转换器件中。 | ||
搜索关键词: | 带有 增益 ec 转换 器件 检测器 | ||
【主权项】:
1.一种IR光检测方法,所述方法包括:施加偏压至包含阳极、阴极、IR敏化材料层、以及电荷倍增层(CML)的器件,其中所述电荷倍增层使所述IR敏化材料层分隔于所述阴极或所述阳极;以及使所述器件暴露于红外辐射以使得电流在所述阳极和所述阴极之间流动,其中所述器件通过纳入所述电荷倍增层而带有增益。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的