[发明专利]焊盘形成方法有效
| 申请号： | 201610087254.0 | 申请日： | 2016-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN105609438B | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 陈宏;曹子贵;王卉;徐涛 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 吴圳添,吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种焊盘形成方法，包括提供具有顶层金属结构的衬底；在所述顶层金属结构上形成阻挡层；在所述阻挡层层上形成氧化物层；在所述氧化物层上形成钝化层；刻蚀所述钝化层、所述氧化物层和所述阻挡层，直至形成焊盘开口，被所述焊盘开口暴露的所述顶层金属结构成为焊盘；刻蚀所述氧化物层包括第一主刻蚀和第一过刻蚀；刻蚀所述阻挡层包括第二主刻蚀和第二过刻蚀。所述焊盘形成方法提高所形成焊盘的导电性能和外观质量。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种焊盘形成方法，其特征在于，包括：提供具有顶层金属结构的衬底；在所述顶层金属结构上形成阻挡层；在所述阻挡层层上形成氧化物层；在所述氧化物层上形成钝化层；刻蚀所述钝化层、所述氧化物层和所述阻挡层，直至形成焊盘开口，被所述焊盘开口暴露的所述顶层金属结构成为焊盘；其中，刻蚀所述氧化物层包括第一主刻蚀和第一过刻蚀；刻蚀所述阻挡层包括第二主刻蚀和第二过刻蚀；在形成所述氧化物层后，且在形成所述钝化层前，还包括进行合金化处理；所述第二过刻蚀在没有磁场的条件下进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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