[发明专利]焊盘形成方法有效
| 申请号： | 201610087254.0 | 申请日： | 2016-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN105609438B | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 陈宏;曹子贵;王卉;徐涛 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 吴圳添,吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 方法 | ||
1.一种焊盘形成方法，其特征在于，包括：
提供具有顶层金属结构的衬底；
在所述顶层金属结构上形成阻挡层；
在所述阻挡层层上形成氧化物层；
在所述氧化物层上形成钝化层；
刻蚀所述钝化层、所述氧化物层和所述阻挡层，直至形成焊盘开口，被所述焊盘开口暴露的所述顶层金属结构成为焊盘；
其中，刻蚀所述氧化物层包括第一主刻蚀和第一过刻蚀；刻蚀所述阻挡层包括第二主刻蚀和第二过刻蚀；
在形成所述氧化物层后，且在形成所述钝化层前，还包括进行合金化处理；所述第二过刻蚀在没有磁场的条件下进行。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述顶层金属结构的材料为铝，所述阻挡层的材料为氮化钛。
3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述第一过刻蚀持续时间为所述第一主刻蚀持续时间的15％～45％。
4.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述第二过刻蚀持续时间为所述第一主刻蚀持续时间的35％～65％。
5.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述第二过刻蚀采用的功率为300W～500W。
6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，还包括在所述钝化层上形成有机绝缘层，在刻蚀所述钝化层前，先在所述有机绝缘层形成开口，沿所述开口刻蚀所述钝化层，所述有机绝缘层的材料为聚酰亚胺。
7.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述氧化物层的厚度为所述阻挡层的厚度为
8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述氧化物层采用三个步骤形成，第一个步骤采用的前驱物包括正硅酸乙酯或硅烷，第二个步骤采用高密度等离子体化学气相淀积方法形成氧化物，第三个步骤采用的前驱物包括正硅酸乙酯或硅烷。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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