[发明专利]三维存储器件的擦除方法有效
| 申请号： | 201610084134.5 | 申请日： | 2016-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN105575431B | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C16/16 | 分类号： | G11C16/16 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种三维存储器件擦除方法，包括：步骤1、接收擦除命令；步骤2、判定存储块是否被选中，是则执行步骤3，否则执行步骤4；步骤3、执行奇偶字线交替擦除，随后执行步骤5；步骤4、浮置未选中存储块的所有字线，随后结束；步骤5、验证存储块是否擦除成功，是则结束，否则执行步骤3。依照本发明的三维半导体存储器件擦除方法，使得奇数字线和偶数字线交替选通/浮置，横向电场抑制擦除空穴的移动，使得存储层中电子能够被完全擦除而没有空穴残留，避免了器件失效。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储 器件 擦除 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三维存储器件擦除方法，包括：步骤1、接收擦除命令；步骤2、判定存储块是否被选中，是则执行步骤3，否则执行步骤4；步骤3、执行奇偶字线交替擦除，其中临近的奇偶字线之间存在电势差而形成横向电场以抑制空穴的横向移动，随后执行步骤5；步骤4、浮置未选中存储块的所有字线，随后结束；步骤5、验证存储块是否擦除成功，是则结束，否则执行步骤3。
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