[发明专利]晶体管的形成方法

摘要

一种晶体管的形成方法，包括：形成基底，基底内形成有相邻的第一阱区和第二阱区；在第二阱区内形成隔离结构，隔离结构的顶部表面低于第一阱区和第二阱区的顶部表面；在基底上形成伪栅结构；在伪栅结构露出的第一阱区和第二阱区的第二区域中分别形成源区或漏区；形成介质层；在介质层内形成开口；在开口底部和侧壁上形成栅介质层；在栅介质层上形成功函数层；进行离子注入处理，以调节功函数层的功函数；形成栅电极。本发明在形成功函数层的步骤之后，在形成栅电极的步骤之前，对功函数层进行离子注入处理，以调节功函数层的功函数，改善了晶体管阈值电压分布不均匀的问题，减少了栅介质层击穿现象的出现，提高了所形成晶体管的性能。

主权项

1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：形成基底，所述基底内形成有相邻的第一阱区和第二阱区，所述第一阱区具有第一类型掺杂离子，所述第二阱区具有第二类型掺杂离子；在所述第二阱区内形成隔离结构，所述隔离结构的顶部表面低于所述第一阱区和第二阱区的顶部表面，所述隔离结构将所述第二阱区分为靠近所述的第一阱区的第一区域、远离所述第一阱区的第二区域以及位于隔离结构下方的底部区域；在所述基底上形成伪栅结构，所述伪栅结构覆盖所述第一阱区顶部、第二阱区的第一区域以及隔离结构顶部的部分表面，所述伪栅结构包括伪栅极；在所述伪栅结构露出的第一阱区和所述第二阱区的第二区域中分别形成源区或漏区；形成覆盖所述基底和所述源区或漏区的介质层，所述介质层露出所述伪栅结构的顶部表面；去除所述伪栅极，在所述介质层内形成开口；在开口底部和侧壁上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成功函数层；对位于开口底部的第二阱区第一区域以及隔离结构上的功函数层进行离子注入处理，以调节所述功函数层的功函数；向所述开口内填充导电材料，形成栅电极。