[发明专利]半导体器件以及用于形成半导体器件的方法

摘要

本发明涉及半导体器件以及用于形成半导体器件的方法。该半导体器件包括第一晶体管结构，所述第一晶体管结构包括位于半导体衬底内的第一导电类型的第一晶体管体区。第一晶体管体区的至少部分位于第一晶体管结构的第一源极区/漏极区和第一晶体管结构的第二源极区/漏极区之间。半导体器件包括第二晶体管结构，所述第二晶体管结构包括位于半导体衬底内的第二导电类型的第二晶体管体区。第二晶体管体区的至少部分位于第二晶体管结构的第一源极区/漏极区和第二晶体管结构的第二源极区/漏极区之间。第二晶体管结构的第二源极区/漏极区的至少部分位于包括第一晶体管结构的第二源极区/漏极区的掺杂区与第二晶体管体区之间。

主权项

1.一种半导体器件(100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200、1300、1500、1600)，包括：第一晶体管结构(101)，所述第一晶体管结构(101)包括位于半导体衬底(103)内的第一导电类型的第一晶体管体区(102)，其中，所述第一晶体管体区(102)的至少一部分位于所述第一晶体管结构的第一源极区/漏极区(104)与所述第一晶体管结构的第二源极区/漏极区(105)之间，其中，所述第一晶体管结构的第一源极区/漏极区(104)具有第二导电类型；第二晶体管结构(106)，所述第二晶体管结构(106)包括位于所述半导体衬底(103)内的第二导电类型的第二晶体管体区(107)，其中，所述第二晶体管体区(107)的至少一部分位于所述第二晶体管结构的第一源极区/漏极区(108)与所述第二晶体管结构的第二源极区/漏极区(109)之间，其中，所述第二晶体管结构的第二源极区/漏极区(109)的至少一部分位于包括所述第一晶体管结构的第二源极区/漏极区(105)的掺杂区与所述第二晶体管体区(107)之间；所述第一晶体管结构的栅极(164b)，其中，能够由所述第一晶体管结构的所述栅极(164b)控制的所述第一晶体管结构的晶体管沟道被限制于位于所述第一晶体管结构的第一源极区/漏极区(104)与所述第一晶体管结构的第二源极区/漏极区(105)之间的沟道区；第一电极结构(111)，所述第一电极结构(111)与所述第一晶体管结构的第一源极区/漏极区(104)和所述第二晶体管结构的第一源极区/漏极区(108)电连接；以及第二电极区(112)，所述第二电极区(112)与所述第一晶体管结构的第二源极区/漏极区(105)电连接，其中，所述第一晶体管体区(102)和所述第二晶体管结构的第二源极区/漏极区(109)由所述半导体衬底中的所述第一导电类型的公共半导体掺杂区来实现；和/或其中，所述第二晶体管体区(107)和所述第一晶体管结构的第一源极区/漏极区(104)由所述半导体衬底中的所述第二导电类型的公共半导体掺杂区来实现。