[发明专利]基于SiC的超结半导体器件在审
| 申请号： | 201610078275.6 | 申请日： | 2016-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN105870162A | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | W.扬切尔;R.鲁普;H-J.舒尔策;W.舒斯特雷德;H.韦伯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/266 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;杜荔南 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及基于SiC的超结半导体器件。提出了一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体主体，该半导体主体包括显示出小于硅的相应掺杂剂扩散系数的掺杂剂扩散系数的半导体主体材料；至少一个第一半导体区，该至少一个第一半导体区用第一导电性类型的掺杂剂掺杂，并且显示出沿着延伸方向延伸到半导体主体中的圆柱形状，其中至少一个第一半导体区的分别宽度沿着所述延伸方向连续地增加；包含在半导体主体中的至少一个第二半导体区，该至少一个第二半导体区邻近于至少一个第一半导体区布置，并且用与第一导电性类型互补的第二导电性类型的掺杂剂掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 sic 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件（1），包括：‑ 半导体主体（11），所述半导体主体（11）包括显示出小于硅的相应掺杂剂扩散系数的掺杂剂扩散系数的半导体主体材料；‑ 至少一个第一半导体区（111‑1、111‑2），所述至少一个第一半导体区（111‑1、111‑2）用第一导电性类型的掺杂剂掺杂，并且显示出沿着延伸方向（B）延伸到半导体主体（11）中的圆柱形状，其中，所述至少一个第一半导体区（111‑1、111‑2）的分别宽度（D）沿着所述延伸方向（B）连续地增加；‑ 包含在半导体主体（11）中的至少一个第二半导体区（112），所述至少一个第二半导体区（112）被邻近于所述至少一个第一半导体区（111‑1、111‑2）布置，并且用与第一导电性类型互补的第二导电性类型的掺杂剂掺杂。
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