[发明专利]一种硅整流二极管在审
| 申请号： | 201610075454.4 | 申请日： | 2016-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN105552111A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 黄仲濬;蒋文甄 | 申请（专利权）人： | 泰州优宾晶圆科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L23/31;H01L23/49 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 225500 江苏省泰州市姜*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅整流二极管，涉及二极管领域，包括晶粒、引线装置和环氧塑封体，所述引线装置包括上引线装置和下引线装置，所述上引线装置和下引线装置分别连接晶粒的上端和下端，所述环氧塑封体包裹着除上引线装置和下引线装置的外端面之外的整个二极管部分，所述上引线装置和下引线装置均通过焊料焊接晶粒上，所述晶粒采用半导体硅制作，该种硅整流二极管可广泛适用于各种整流二极管的使用场合，且体积较小，成本低，值得推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 整流二极管 | ||
【主权项】：
一种硅整流二极管，其特征在于，包括晶粒、引线装置和环氧塑封体，所述引线装置包括上引线装置和下引线装置，所述上引线装置和下引线装置分别连接晶粒的上端和下端，所述环氧塑封体包裹着除上引线装置和下引线装置的外端面之外的整个二极管部分，所述上引线装置和下引线装置均通过焊料焊接于晶粒上，所述晶粒采用半导体硅制作。
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