[发明专利]一种碳化硅晶片的双面抛光方法有效
| 申请号： | 201610071886.8 | 申请日： | 2016-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN105666300A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 詹琳 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司 |
| 主分类号： | B24B29/00 | 分类号： | B24B29/00;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 101111 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明一种碳化硅晶片双面抛光方法，包括将碳化硅晶片在双面抛光机依次进行粗抛光、半精抛和精抛光；其中，进行粗抛光时，使用水溶性金刚石抛光液，金刚石颗粒粒径为5-15um，抛光压力为40-100kg，抛光盘为树脂铜盘、树脂锡盘或者聚氨酯类结构的抛光垫；进行半精抛时，使用水溶性金刚石抛光液，金刚石颗粒粒径为0.25-3um，抛光压力为60-120kg，抛光盘为树脂铜盘、树脂锡盘或者聚氨酯类结构的抛光垫；进行精抛光时，使用碱性的二氧化硅抛光液，加入适当比例的氧化剂，调节精抛液PH值为9-13，抛光压力为80-140kg，抛光垫为绒毛类结构的抛光垫。通过本发明的双面抛光方法，可节省一倍加工时间，提高碳化硅晶片平整度，抛光后表面质量一致，无橘皮、划伤、雾状等缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶片 双面 抛光 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅晶片双面抛光方法，其特征在于，包括将碳化硅晶片在双面抛光机依次进行粗抛光、半精抛和精抛光；其中，进行所述粗抛光时，使用水溶性金刚石抛光液，金刚石颗粒粒径为5‑15um，抛光压力为40‑100kg，抛光盘为树脂铜盘、树脂锡盘或者聚氨酯类结构的抛光垫；进行所述半精抛时，使用水溶性金刚石抛光液，金刚石颗粒粒径为0.25‑3um，抛光压力为60‑120kg，抛光盘为树脂铜盘、树脂锡盘或者聚氨酯类结构的抛光垫；进行所述精抛光时，使用碱性的二氧化硅抛光液，加入适当比例的氧化剂，调节精抛液PH值为9‑13，抛光压力为80‑140kg，抛光垫为绒毛类结构的抛光垫。
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