[发明专利]一种CMOS器件抗单粒子闭锁的加固方法

摘要

本发明公开了一种CMOS器件抗单粒子闭锁的加固方法，对CMOS器件进行中子辐照，通过中子辐照引入位移损伤,使器件CMOS反相器内部寄生双极晶体管的电流增益降低到不致发生P‑N‑P‑N闭锁，该加固方法是一种外部加固方法，不增加生产器件的工艺步骤，不用针对单粒子闭锁效应重新设计器件版图，不增加原有系统的复杂性。因此，不会改变器件的固有尺寸，也不会增加外围电路。

主权项

1.一种CMOS器件抗单粒子闭锁的加固方法，其特征在于：对CMOS器件进行中子辐照，通过中子辐照引入位移损伤,使器件CMOS反相器内部寄生双极晶体管的电流增益降低到不致发生P‑N‑P‑N闭锁；中子辐照注量的确定按照以下步骤进行：1)选择待加固的CMOS器件样本，对器件样本进行全参数测试，得到器件样本的各项性能指标参数作为参考标准；2)选择等效1MeV中子注量为1×1012/cm2～1×1014/cm2之间的多个注量值；3)选择多个待加固的CMOS器件样本，分别在步骤2)的中子注量下进行预辐照实验；4)对经过预辐照实验后的多个待加固的CMOS器件样本也进行全参数测试，去除掉性能指标和步骤1)所测的参考标准不一致的器件；5)对中子预辐照后功能完好的器件以及未经中子预辐照的样本分别进行相同重离子辐照环境下的单粒子闭锁实验，得到不同中子注量辐照前后的闭锁截面曲线；6)对闭锁截面曲线进行分析，得到满足加固要求条件下的“最小中子注量”，并将之作为该CMOS器件的加固标准中子辐照注量。