[发明专利]基板液体处理装置和基板液体处理方法有效
申请号: | 201610065467.3 | 申请日: | 2016-01-29 |
公开(公告)号: | CN105845602B | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 佐藤秀明;佐藤尊三 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种基板液体处理装置和基板液体处理方法。该基板液体处理装置具有:贮存用于对基板(8)进行处理的处理液的处理液贮存部(38);供给处理液的处理液供给部(39);使处理液贮存部的内部的处理液循环的处理液循环部(40);使处理液排出的处理液排出部(41);浓度传感器(61),其设置于处理液排出部,测量处理液中的基板处理产物的浓度;以及控制处理液供给部的控制部(7),其中,控制部通过处理液循环部使处理液循环,使循环的处理液在规定的定时间歇性地或者在规定时间内连续地从处理液排出部排出,从处理液供给部供给新的处理液,通过浓度传感器在规定的定时测量所排出的处理液中的基板处理产物的浓度。 | ||
搜索关键词: | 液体 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种基板液体处理装置,其特征在于,具有:处理液贮存部,其贮存用于对基板进行处理的处理液;处理液供给部,其向所述处理液贮存部供给所述处理液;处理液循环部,其使所述处理液贮存部的内部的所述处理液循环;处理液排出部,其从所述处理液循环部分支出来并使所述处理液排出;浓度传感器,其设置于所述处理液排出部,测量所述处理液中的基板处理产物的浓度;以及控制部,其控制所述处理液供给部,其中,所述控制部通过所述处理液循环部使所述处理液循环,使循环的所述处理液在规定的定时间歇性地或者在规定时间内连续地从所述处理液排出部排出,并且从所述处理液供给部供给新的所述处理液,针对所排出的所述处理液,通过所述浓度传感器在规定的定时测量所述处理液中的基板处理产物的浓度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610065467.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造