[发明专利]译码方法、内存储存装置及内存控制电路单元有效

专利信息
申请号: 201610064749.1 申请日: 2016-01-29
公开(公告)号: CN107025935B 公开(公告)日: 2020-10-27
发明(设计)人: 萧又华;颜恒麟 申请(专利权)人: 深圳大心电子科技有限公司
主分类号: G11C16/08 分类号: G11C16/08;G11C16/24
代理公司: 深圳壹舟知识产权代理事务所(普通合伙) 44331 代理人: 寇闯
地址: 518057 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种译码方法、内存储存装置及内存控制电路单元。此译码方法包括:程序化第一数据至可复写式非易失性内存模块中的第一实体单元;读取第一实体单元以获得第二数据;根据第一数据与第二数据获得对应于第一位值的第一临界电压分布与对应于第二位值的第二临界电压分布,其中第一位值与第二位值不同;根据第一临界电压分布与第二临界电压分布计算对应于第一实体单元的第一信道可靠度信息;以及根据第一信道可靠度信息来译码储存于第一实体单元的第三数据。藉此,可提升对于第一实体单元的译码效率。本发明可实时地更新使用程度不同的记忆胞所对应的信道可靠度信息,从而提升译码效率。
搜索关键词: 译码 方法 内存 储存 装置 控制电路 单元
【主权项】:
一种译码方法,用于可复写式非易失性内存模块,其特征在于,所述可复写式非易失性内存模块包括多个实体单元,所述译码方法包括:程序化第一数据至所述多个实体单元中的至少一第一实体单元;读取所述至少一第一实体单元以获得第二数据;根据所述第一数据与所述第二数据获得对应于第一位值的第一临界电压分布与对应于第二位值的第二临界电压分布,其中所述第一位值与所述第二位值不同;根据所述第一临界电压分布与所述第二临界电压分布计算对应于所述至少一第一实体单元的第一信道可靠度信息;以及根据所述第一信道可靠度信息来译码储存于所述至少一第一实体单元的第三数据。
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