[发明专利]一种纳米光刻装置及制备超衍射极限图形的方法

摘要

本发明涉及一种纳米光刻装置及制备超衍射极限图形的方法，其中装置包括基底、位于基底之上的下层模板、位于下层模板之上的光刻胶、位于光刻胶之上的上层模板、位于上层模板之上的透光基板和曝光光源；上层模板具有光刻图形，上、下层模板组成光刻掩膜版，其材质均为金属或合金材质，在光刻时上、下层模板形成局域表面等离子体激元结构。本发明利用双层金属/合金光刻掩膜版，能在光刻时形成局域表面等离子体激元模式，制备线宽比光刻掩膜版上的光刻图形更小的超衍射极限复杂光刻图形，同时可以通过改变光刻掩膜版以及周围介质材料、光刻胶的厚度、曝光源波长、控制曝光功率、曝光时间等条件，对超衍射图形的线宽、深宽比进行调控。

主权项

一种纳米光刻装置，其特征在于，包括基底、位于所述基底之上的下层模板、位于所述下层模板之上的光刻胶、位于所述光刻胶之上的上层模板、位于所述上层模板之上的透光基板和曝光光源；所述上层模板具有光刻图形，所述上层模板和所述下层模板组成光刻掩膜版，用于掩膜光刻；所述上层模板的材质为金属或合金材质，所述下层模板的材质为金属或合金材质；在光刻时所述下层模板与上层模板的光刻图形形成局域表面等离子体激元结构；所述光刻胶用于对光刻掩膜版形成的光刻图形进行记录；所述曝光光源位于透光基板之上，用于提供光刻的光源。