[发明专利]一种用于半导体器件的双电荷注入层的制备方法

摘要

本发明提供一种用于半导体器件的双电荷注入层的制备方法，该方法的步骤如下将HAT‑CN和F4‑TCNQ以质量比为1(2‑6)的比例混合溶于丙酮中，待完全溶解后得到溶液A；将CuPc和MoO3分别溶于水中制成水溶液，在大气环境下分别搅拌，以体积比11的比例混合，得到溶液B；将待涂布的基板臭氧处理，然后用溶液A涂布在基板表面，并在60℃的温度下退火15min，此时基板表面形成一层油性薄膜；将溶液B涂布在油性薄膜表面，并在150℃的温度下退火15min，此时ITO基片表面即形成了用于半导体器件的双电荷注入层。本发明的制作工艺简单便捷，设备要求低，在大气条件中即可进行制备操作，成本低廉。

主权项

一种用于半导体器件的双电荷注入层的制备方法，其特征在于该方法的步骤如下：（1）将HAT‑CN和F4‑TCNQ以质量比为1:( 2‑6 )的比例混合溶于丙酮中，待完全溶解后静置1‑2h，得到溶液A，其中溶液A中HAT‑CN和F4‑TCNQ的总浓度为2mg/mL；（2）将CuPc和MoO3分别溶于水中制成水溶液， 在大气环境下分别搅拌10h后，以体积比1:1的比例混合，静置1‑2h，得到溶液B，其中CuPc和MoO3水溶液的浓度分别为4mg/mL和1mg/mL；（3）将待涂布的基板放置于紫外臭氧机中臭氧处理20min， 然后用步骤（1）中得到的溶液A通过旋转涂布的方法均匀的涂布在基板表面，并在60℃的温度下退火15min，此时基板表面形成一层油性薄膜；（4）将步骤（2）中得到的溶液B通过旋转涂布的方法均匀的涂布在步骤（3）得到的油性薄膜表面，并在150℃的温度下退火15min，此时基板表面形成了油性‑水性双注入层的薄膜，即为用于半导体器件的双电荷注入层。