[发明专利]一种用于半导体器件的双电荷注入层的制备方法

权利要求书

1.一种用于半导体器件的双电荷注入层的制备方法，其特征在于该方法的步骤如下：

（1）将HAT-CN和F4-TCNQ以质量比为1:( 2-6 )的比例混合溶于丙酮中，待完全溶解后静置1-2h，得到溶液A，其中溶液A中HAT-CN和F4-TCNQ的总浓度为2mg/mL；

（2）将CuPc和MoO3分别溶于水中制成水溶液， 在大气环境下分别搅拌10h后，以体积比1:1的比例混合，静置1-2h，得到溶液B，其中CuPc和MoO3水溶液的浓度分别为4mg/mL和1mg/mL；

（3）将待涂布的基板放置于紫外臭氧机中臭氧处理20min， 然后用步骤（1）中得到的溶液A通过旋转涂布的方法均匀的涂布在基板表面，并在60℃的温度下退火15min，此时基板表面形成一层油性薄膜；

（4）将步骤（2）中得到的溶液B通过旋转涂布的方法均匀的涂布在步骤（3）得到的油性薄膜表面，并在150℃的温度下退火15min，此时基板表面形成了油性-水性双注入层的薄膜，即为用于半导体器件的双电荷注入层。

2.根据权利要求1所述的一种用于半导体器件的双电荷注入层的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）中将HAT-CN和F4-TCNQ以质量比为1:4的比例混合溶于丙酮中。

3.根据权利要求1所述的一种用于半导体器件的双电荷注入层的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）中完全溶解后静置时间为1 .5h。

4.根据权利要求1所述的一种用于半导体器件的双电荷注入层的制备方法，其特征在于：所述步骤（2）中静置时间为1 .5h。

5.根据权利要求1所述的一种用于半导体器件的双电荷注入层的制备方法，其特征在于：所述步骤（3）中的基板为单晶硅基板或ITO玻璃基板。