[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管的关断性能提升方法有效
| 申请号： | 201610061042.5 | 申请日： | 2016-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN105702720B | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 祝靖;周锦程;杨卓;孙伟锋;宋慧滨;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210000*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种绝缘栅双极型晶体管结构，包括集电极金属、P型集电区、N型基极区，N型基极区表面有N型载流子存储层及沟槽柵，沟槽柵将N型载流子存储层分割成条状，条状N型载流子存储层表面存在均匀分布的块状P型体区，块状载流子存储层上设有与第一类型柵氧化层连接的第二类型柵氧化层，第二类型柵氧化层上设有与第一多晶硅柵连接的第二多晶硅柵，块状P型体区表面存在P型源区、N型源区，并与发射极金属连接，其特征在于，块状载流子存储层表面设有与块状P型体区连接的轻掺杂浅P阱，在器件导通时，栅极加正栅压，轻掺杂浅P阱被完全耗尽，实现注入效率增强效应，使器件具有较小的导通压降；在器件关断时，轻掺杂浅P阱不被完全耗尽，形成导电沟道，加快器件关断速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 栅双极型 晶体管 性能 提升 方法 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅双极型晶体管，包括：重掺杂P型集电区(2)，在重掺杂P型集电区(2)的背面设有集电极金属(1)，其正面设有轻掺杂N型缓冲层(3)，轻掺杂N型缓冲层(3)上设有轻掺杂N型基极区(4)，轻掺杂N型基极区(4)上设有轻掺杂N型载流子存储层(5)，在轻掺杂N型载流子存储层(5)上设有存在互相平行的沟槽栅，所述沟槽栅是由第一类型栅氧化层(6)和第一多晶硅栅(7)构成，第一类型栅氧化层(6)位于第一多晶硅栅(7)与轻掺杂N型载流子存储层(5)之间，所述沟槽栅深度深入轻掺杂N型基极区(4)，沟槽栅将轻掺杂N型载流子存储层(5)分割成条状，在条状轻掺杂N型载流子存储层(5)上设有块状轻掺杂P型体区(8)，且所述块状轻掺杂P型体区(8)将所述条状轻掺杂N型载流子存储层(5)分割成块状载流子存储层(17)，块状载流子存储层(17)表面上设有第二类型栅氧化层(14)，第二类型栅氧化层(14)与相邻的沟槽栅的第一类型栅氧化层(6)连接，第二类型栅氧化层(14)上设有第二多晶硅栅(15)，第二多晶硅栅(15)分别与相邻的沟槽栅内的第一多晶硅栅(7)连接，块状轻掺杂P型体区(8)表面存在重掺杂P型源区(9)，块状轻掺杂P型体区(8)表面存在重掺杂N型源区(10)，在器件表面设有绝缘介质层(12)，发射极金属(13)通过绝缘介质层(12)上的通孔与重掺杂P型源区(9)、重掺杂N型源区(10)接触，其特征在于，在块状载流子存储层(17)与第二类型栅氧化层(14)之间设有轻掺杂浅P阱(11)，所述轻掺杂浅P阱(11)和与块状载流子存储层(17)相邻的块状轻掺杂P型体区(8)连接，所述绝缘栅双极型晶体管关断时，在轻掺杂浅P阱(11)处形成P沟道，块状载流子存储层(17)内的空穴会进入所述P沟道，并被P沟道迅速抽取。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610061042.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件及其形成方法
- 下一篇：形成具有屏蔽栅极的碳化硅器件的方法
- 同类专利
- 专利分类
