[发明专利]一种制备超薄有机硅膜的方法有效
| 申请号： | 201610060355.9 | 申请日： | 2016-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN105777206B | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 徐荣;姜万;钟璟 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | C04B41/89 | 分类号： | C04B41/89 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213164 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于膜材料制备领域，特别涉及一种超薄有机硅膜的制备方法。本发明针对当前硅膜制备过程中常用的浸渍提拉涂膜法存在的“膜厚度较大、通量较小、成膜率低、过程难以调控”等问题，提供一种较为简单的超薄有机硅膜的制备方法，采用热涂法擦涂低浓度的有机硅溶胶，涂膜之后直接进行快速煅烧，制备出厚度<100nm的超薄并且完整的有机硅分离膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 超薄 有机硅 方法 | ||
【主权项】：
一种超薄有机硅膜的制备方法，其特征在于：所述的制备方法为，采用热涂法擦涂低浓度的有机硅溶胶，涂膜之后直接进行快速煅烧，制备出超薄有机硅膜；所述制备方法的具体步骤为，(1)有机硅溶胶的制备在盐酸的催化作用下，通过有机硅源前驱体的水解聚合反应制备出有机硅聚合溶胶，并将其浓度稀释至0.1～0.5wt％；(2)将陶瓷支撑体预热至190～210℃后取出，立即将硅锆溶胶擦涂在陶瓷支撑体上，并确保涂擦过程中陶瓷支撑体的温度不低于180℃，涂完后立即进行煅烧，重复此过程3～5次，得到膜的过渡层；(3)将步骤(2)中煅烧后的陶瓷支撑体取出，冷却至100～200℃后，立即将步骤(1)中得到的有机硅聚合溶胶擦涂在陶瓷支撑体上的过渡层上，并确保涂擦过程中陶瓷支撑体以及过渡层的温度不低于180℃，涂完后立即进行煅烧，重复此过程1～2次，得到超薄有机硅膜。
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