[发明专利]一种制备超薄有机硅膜的方法

说明书

技术领域

本发明属于膜材料制备领域，特别涉及一种超薄有机硅膜的制备方法。

背景技术

现在大量商业应用的有机膜普遍存在化学稳定性和热稳定性差的缺点，而有机硅膜具有优异的水热稳定性和化学稳定性，其应用前景十分广泛。

与基于SiO₂的传统无机硅膜一样，有机硅(或称有机无机杂化硅)膜一般采用溶胶-凝胶法制备，涂膜方法通常有浸渍提拉法和旋涂法等。常用的浸渍提拉法就是将支撑体的一面浸入预先制备好的溶胶之中，浸渍一段时间之后以一定的速度将支撑体平稳地从溶胶中提拉出来，在粘度和重力作用下溶胶沿着支撑体表面形成一层均匀的液膜，随着溶剂缓慢地蒸发，于是附着在支撑体表面的溶胶逐步向凝胶态转化，再经煅烧进一步脱除溶剂并进行脱水缩合反应从而形成多孔分离层。

从上述过程中可以看出浸渍提拉法存在溶剂的蒸发时间较长、膜厚度难以控制、最终所制备的分离膜厚度较大(>500nm)、膜通量较小等缺点。在确保膜的完整性前提下，膜制备过程一般都是尽可能减小膜厚度，从而避免在随后的煅烧过程中出现微缺陷甚至裂缝。

发明内容

针对当前硅膜制备过程中常用的浸渍提拉涂膜法存在的“膜厚度较大、通量较小、成膜率低、过程难以调控”等问题，本发明提供一种较为简单的超薄有机硅膜的制备方法，采用热涂法擦涂低浓度的有机硅溶胶，涂膜之后直接进行快速煅烧，制备出分离层厚度<100nm的超薄并且完整的有机硅分离膜，

具体制备方法如下：

(1)有机硅溶胶的制备

在盐酸的催化作用下，通过有机硅源前驱体的水解聚合反应制备出有机硅聚合溶胶，并将其浓度稀释至0.1～0.5wt％，

其中，有机硅源前驱体为1，2-二(三乙氧基硅基)乙烷(BTESE)、1，2-二(三乙氧基硅基)乙烯(BTESEthy)、1，4-二(三乙氧基硅基)苯、乙基三甲氧基硅烷(ETTS)中的一种或多种，

采用很低浓度的溶胶是为了后期涂膜过程中溶剂蒸发后形成的凝胶层很薄；

(2)将陶瓷支撑体预热至190～210℃后取出，立即将硅锆溶胶擦涂在陶瓷支撑体上，并确保涂擦过程中陶瓷支撑体的温度不低于180℃，涂完后立即进行煅烧，重复此过程3～5次，得到膜的过渡层，

其中，硅锆溶胶的浓度为0.5wt％，涂擦时采用脱脂棉蘸取硅锆溶胶，按一个方向在陶瓷支撑体上快速擦涂，

涂完后立即放入550℃的炉中煅烧15～30min，

陶瓷支撑体为外管式或片式，硅锆溶胶是由四甲氧基硅烷Si(OCH₃)₄)和乙醇锆(Zr(OC₂H₅)₄)通过水解聚合而制成的，

其中，过渡层使用的硅锆溶胶比常用的工业硅胶具有更好地水热稳定性，其浓度控制在0.5wt％，目的是使形成的过渡层也很薄，降低膜的传质阻力，并在煅烧过程中膜不易出现裂缝甚至断裂；而采用热涂法在180℃左右擦涂，是通过利用支撑体表面的高温达到迅速蒸发溶剂，快速形成凝胶层的目的，热涂过程中使用红外温枪精确控制涂膜的温度；最后进行高温快速煅烧，为的是进一步促进溶剂的完全脱除和湿凝胶的脱水缩合反应，形成多孔分离层，

多次擦涂是为了保证过渡层的完整，没有裂纹和针孔，经多次擦涂低浓度的硅锆溶胶后，过渡层孔径可降至2～5nm，这样的过渡层能够防止出现孔渗现象；

(3)将步骤(2)中煅烧后的陶瓷支撑体取出，冷却至100～200℃后，立即将步骤(1)中得到的有机硅聚合溶胶擦涂在陶瓷支撑体上的过渡层上，并确保涂擦过程中陶瓷支撑体以及过渡层的温度不低于180℃，涂完后立即进行煅烧，重复此过程1～2次，

其中，涂擦时采用脱脂棉蘸取有机硅聚合溶胶，按一个方向在陶瓷支撑体上快速擦涂，涂完后立即放入炉中煅烧15～30min，煅烧温度控制在100～300℃，

其中，使用低浓度的有机硅溶胶(0.1～0.5wt％)目的是为了溶剂蒸发后形成的凝胶层很薄，降低膜的传质阻力；采用热涂法在100～200℃左右擦涂，是为了利用支撑体表面的高温使溶剂迅速蒸发，达到快速形成凝胶层的目的；在紧接着的快速煅烧中，残余的溶剂进一步挥发，湿凝胶不断的进行脱水缩合反应(见附图1)，逐步形成稳定的有机硅网络结构，即最终的多孔有机硅分离层。